一种掩模组件(100)包括：掩模框(102)及掩模屏(104)，该掩模框(102)及该掩模屏(104)两者以金属材料制成；及金属涂层(105)，该金属涂层(105)安置在该掩模框(102)及该掩模屏(104)中的一或两者的暴露面上。

本文提供闸阀及使用所述闸阀的方法的实施方式。在一些实施方式中，用于处理连续基板的闸阀包括：主体；多个密封件，所述多个密封件设置在所述主体内且经配置以在关闭位置和打开位置之间移动；多个容积，所述多个容积设置在所述多个密封件中的相邻密封件之...

在用于从晶片移除光刻胶膜的系统和方法中，晶片移动至处理罐中的处理液体的浴中。处理液体从晶片移除光刻胶膜。处理液体从处理罐被泵送至过滤组件，并且移动通过过滤介质以从处理液体过滤出固体，并且经过滤的处理液体返回至处理罐。刮削器刮削过滤介质，...

于此公开的实施方式包括一种具有传感器组件的面板，一种具有所述传感器组件的处理腔室、及在处理腔室中用于监控基板的方法。在一个实施方式中，面板经配置以将处理气体导入等离子体处理腔室中。面板具有一个或多个孔。传感器组件设置于一个或多个孔中。传...

本文提供用于复丝丝束(multi‑filament tow)的鉴定和修复的设备。在一些实施方式中，用于检查和修复复丝丝束的设备包括：第一线轴，具有卷绕在第一线轴上的复丝丝束；第一丝束张紧器，在第一线轴之后，以在复丝丝束上施加预定的张力；...

描述一种辊装置(100)，所述辊装置用于导向卷材(200)并且用于在真空环境下的卷材涂覆工艺中控制与辊装置接触的卷材(200)的温度。辊装置包含辊装置(100)的曲面(101)，用于接触卷材(200)，其中曲面(101)包含卷材导向区域...

本公开内容的方面包括处理基板以移除来自形成在基板上的互连的空隙、缝和晶界中的一种或多种的方法。所述方法包括在加压至过大气压力的环境中加热基板。在一个例子中，可在含氢气氛中加热所述基板。

处理系统包括至少一个处理器，所述处理器具有用于保持处理液体的罐。在罐上方的清洁组件设有上部壳体和下部壳体，所述上部壳体具有至少一个上部壳体喷射喷嘴，所述下部壳体具有至少一个下部壳体喷射喷嘴，其中下部壳体在上部壳体下方。上部壳体与下部壳体...

一种方法，所述方法包括使包含钇基氧化物的制品浸没在包含水和1摩尔％～10摩尔％的HF酸的酸性清洁溶液中。所述HF酸会溶解部分的所述钇基氧化物。基于所述HF酸与所述钇基氧化物的已溶解部分之间的反应而形成钇基氟氧化物。所述钇基氟氧化物沉淀在...

表面安装微型装置的方法包含：将供体基板上的第一多个微型装置粘附至具有粘合剂层的转印表面上；在第一多个微型装置保持粘附在转印表面上的同时从供体基板移除第一多个微型装置；相对于目标基板定位转印表面使得转印表面上的多个微型装置的子集邻接目标基...

本文所述的实施方式有关于一种处理基板的方法。这种方法包括：利用静电或磁性的夹持组件的多个分隔的夹持区域将基板夹持至支撑表面，其中这些夹持区域的至少一个冗余夹持区域(31)提供冗余夹持力，使得在所述至少一个冗余夹持区域失效或短路的情况中，...

本文描述的实施方式大体涉及一种用于设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度控制系统。在一个实施方式中，本文公开一种温度控制系统。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统包括第一...

于此提供用于在连续基板上沉积材料的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理连续基板的设备包括：第一腔室，该第一腔室具有第一容积；第二腔室，该第二腔室具有第二容积，该第二容积流体耦合至该第一容积；及多个处理腔室，每一处理腔室具有界定该第一腔...

本文描述的实施方式大体涉及具有用于热处理腔室的盖和用于处理基板的设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区的侧壁和底壁。所述腔室还包括设置在所述腔室主体的内部处理区中的基板支撑件、环支撑件和旋转器盖。所述旋转器盖设置在环...

本实用新型公开了一种清洁系统。本公开内容的实施方式大体上涉及清洁基板，尤其是，涉及用于清洁工艺的终点检测的方法和装置。所述装置包括外部清洁槽、衬里和耦接至所述衬里的循环系统。所述循环系统包括用于将颗粒从流体中移除的过滤器。液体颗粒计数器...

本公开内容的实施方式提供了一种用于等离子体处理腔室装置中的腔室部件及一种用于在设置有腔室部件的等离子体处理腔室中使用的装置。所述腔室部件可以包括提供富氟表面的涂层。在一个实施方式中，用于等离子体处理装置中的腔室部件包括具有包含氧化钇的外...

本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC...

描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于...

描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

本文公开的实施方式大体涉及一种基板支撑组件中的基板温度监控系统。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括支撑板和基板温度监控系统。所述支撑板具有被配置为支撑基板的顶表面。所述基板温度监控系统设置在所述基板支撑板中。所述基板温度监控系统被配...