本文所述的实施方式有关于一种处理基板的方法。这种方法包括：利用静电或磁性的夹持组件的多个分隔的夹持区域将基板夹持至支撑表面，其中这些夹持区域的至少一个冗余夹持区域(31)提供冗余夹持力，使得在所述至少一个冗余夹持区域失效或短路的情况中，...

本文描述的实施方式大体涉及一种用于设置在基板处理系统中的基板支撑组件的温度控制系统。在一个实施方式中，本文公开一种温度控制系统。所述温度控制系统包括远程流体源和主框架系统。所述远程流体源包括第一贮存器和第二贮存器。所述主框架系统包括第一...

于此提供用于在连续基板上沉积材料的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理连续基板的设备包括：第一腔室，该第一腔室具有第一容积；第二腔室，该第二腔室具有第二容积，该第二容积流体耦合至该第一容积；及多个处理腔室，每一处理腔室具有界定该第一腔...

本文描述的实施方式大体涉及具有用于热处理腔室的盖和用于处理基板的设备。所述设备包括腔室主体，所述腔室主体具有界定内部处理区的侧壁和底壁。所述腔室还包括设置在所述腔室主体的内部处理区中的基板支撑件、环支撑件和旋转器盖。所述旋转器盖设置在环...

本实用新型公开了一种清洁系统。本公开内容的实施方式大体上涉及清洁基板，尤其是，涉及用于清洁工艺的终点检测的方法和装置。所述装置包括外部清洁槽、衬里和耦接至所述衬里的循环系统。所述循环系统包括用于将颗粒从流体中移除的过滤器。液体颗粒计数器...

本公开内容的实施方式提供了一种用于等离子体处理腔室装置中的腔室部件及一种用于在设置有腔室部件的等离子体处理腔室中使用的装置。所述腔室部件可以包括提供富氟表面的涂层。在一个实施方式中，用于等离子体处理装置中的腔室部件包括具有包含氧化钇的外...

本公开的实施例总体上涉及用于减少处理腔室中的颗粒产生的设备与方法。在一个实施例中，该方法总体上包括：在通电的顶部电极与接地的底部电极之间产生等离子体，其中该顶部电极平行于该底部电极；以及在膜沉积工艺期间对通电的顶部电极施加恒定为零的DC...

描述了切割半导体晶片的蚀刻掩模和方法。在示例中，用于晶片切单处理的蚀刻掩模包含基于固态成分和水的水溶性基质。蚀刻掩模还包含分散遍布水溶性基质的多个颗粒。所述多个颗粒具有大约在5纳米～100纳米的范围内的平均直径。所述固态成分的重量％对于...

描述了适用于高功率工艺的工件载体。其可包括：圆盘，用以承载工件；板，通过黏着剂接合到所述圆盘；安装环，围绕所述圆盘和冷却板；以及垫圈，在所述安装环和所述板之间，所述垫圈被配置成保护黏着剂。

本文公开的实施方式大体涉及一种基板支撑组件中的基板温度监控系统。在一个实施方式中，所述基板支撑组件包括支撑板和基板温度监控系统。所述支撑板具有被配置为支撑基板的顶表面。所述基板温度监控系统设置在所述基板支撑板中。所述基板温度监控系统被配...

半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱提供至所述半导体处理腔室的入口。所述腔室可包括第一环形支撑件，在第一环形支撑件的第一表面处接触气箱，其中第一环形支撑件和气箱各自界定第一通道的一部分，第一通道位于气箱与第一环形支撑件...

半导体系统及方法可包括具有气箱的半导体处理腔室，此气箱限定了至此半导体处理腔室的入口。此腔室可包括间隔件，该间隔件由与气箱耦接的第一表面表征，及此间隔件可限定在第一表面的内部部分上的凹进壁架。此腔室可包括安装在凹进壁架上的支架，该凹进壁...

一种研磨模块包含：夹具，所述夹具具有基板接收表面和；以及一个或更多个研磨垫组件，所述一个或更多个研磨垫组件绕着所述夹具的所述周边定位，其中所述一个或更多个研磨垫组件的每一个耦合至致动器，所述致动器提供相应的研磨垫组件相对于所述基板接收表...

于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及...

本文公开的实施方式涉及一种处理腔室，所述处理腔室中设置有透镜。在一个实施方式中，所述处理腔室包括：腔室主体、基板支撑组件、光源、和透镜。所述腔室主体限定所述处理腔室的内部容积。所述内部容积具有第一区域和第二区域。所述基板支撑组件设置在所...

于此披露的实施方式包括等离子体减量工艺，其从处理腔室取出流出物并藉由将水蒸气反应物注入到前级管线或等离子体源中而将流出物与放置在前级管线中的等离子体源内的水蒸气反应物反应。存在于流出物中的材料以及水蒸气反应物藉由等离子体源而激发，将材料...

本公开内容提供用于清洁在制造OLED装置中使用的的真空系统的方法(100)。此方法(100)包括执行预清洁以清洁真空系统的至少一部分，和使用远程等离子体源执行等离子体清洁。

描述一种用于在基板上沉积一种或多种材料的真空系统(100)。真空系统(100)包括：第一运输系统(110)，经配置以在主要运输方向(P)上沿着主要运输路径(101)运输基板(10)；和至少一个沉积模块(104)，在相对于主要运输方向(P...

提供一种用于非接触式运输沉积源的设备。设备包括沉积源组件。沉积源组件包括沉积源。沉积源组件包括第一主动磁性单元。设备包括在源运输方向上延伸的引导结构。沉积源组件沿引导结构是可移动的。第一主动磁性单元与引导结构经构造以用于提供第一磁浮力以...

本公开内容提供了一种用于清洁真空腔室(210)的方法(100)。所述方法(100)包括降低所述真空腔室(210)中的压力，以蒸发容纳在所述真空腔室(210)中的溶剂的至少一部分。