说明一种用于在真空腔室中定位基板载体(150)和掩模载体(160)的定位配置(100)。定位配置(100)包括第一轨道(110)，在第一方向中延伸并且经构造以用于基板载体(150)的传送，基板载体(150)经构造以用于保持基板，基板具有...

提供一种用于在由处理滚筒(170)支撑的柔性基板(160)上沉积材料的蒸发设备(100)。所述蒸发设备包括第一组蒸发坩埚(110)和气体供应管(130)。第一组蒸发坩埚(110)沿第一方向排列在第一线(120)中，以产生将沉积于柔性基板...

在此提供一种用于电介质材料的物理气相沉积的设备。在一些实施方式中，物理气相沉积腔室的腔室盖包括：内部磁控管组件，所述内部磁控管组被耦接至内部靶材组件；和外部磁铁组件，所述外部磁铁组件耦接至外部靶材组件，其中内部磁控管组件和内部靶材组件与...

描述了支撑组件和半导体处理系统。例如，支撑组件包括静电夹具(ESC)以及光承载介质。所述静电夹具具有前表面和背表面。所述前表面用于支撑晶片或基板。所述光承载介质设置在所述ESC中。所述光承载介质经配置以为所述ESC提供像素化的基于光的加...

本公开内容的各个方面总体上涉及用于在处理腔室中进行边缘环替换的设备和方法。在一个方面中，公开一种用于支撑边缘环的载体。在其他方面，公开了用于支撑载体的机械叶片。在另一方面中，公开一种用于在脱气腔室中支撑载体的支撑结构。在另一方面中，公开...

本文呈现的实施方式涉及用于在半导体处理系统中处理基板的方法和设备。所述方法开始于将耦接在脉冲RF偏压发生器与HiPIMS发生器之间的脉冲同步控制器初始化。通过脉冲同步控制器将第一时序信号发送至脉冲RF偏压发生器和HiPIMS发生器。基于...

本发明是揭示用于化学机械研磨的光谱基底监测的设备与方法，包含光谱基底终点侦测、光谱基底研磨速率调整、冲洗光学头的上表面、或具有窗口的垫片。该光谱基底终点侦测依经验法则为特定光谱基底终点判定逻辑选用一参考光谱，因此当应用该特定光谱基底终点...

公开一种基板运输系统，并且所述基板运输系统包括：腔室，所述腔室具有内壁；平面电机，所述平面电机安置在所述内壁上；和基板载体，所述基板载体磁性地耦接到所述平面电机。所述基板载体包括：基部；和基板支撑表面，所述基板支撑表面耦接到以悬臂定向从...

此处所呈现的实施方式涉及用于基板处理系统的脉冲控制系统。脉冲控制系统包括功率源、系统控制器和脉冲形状控制器。脉冲形状控制器耦接至功率源且与系统控制器连通。脉冲形状控制器包括第一切换组件和第二切换组件。第一切换组件包括具有第一端和第二端的...

描述了可作为半导体和机械处理中的工件载体的处理晶片。在一些实例中，工件载体包括：基板；电极，所述电极形成在基板上以携带电荷，以夹持工件；通孔，所述通孔穿过基板并连接到电极；和介电层，所述位于基板之上，以将电极与工件隔离。

描述了一种特别适用于机械和半导体处理的工件载体的层压顶板。在一个示例中，制造工件载体顶板的方法包括以下步骤：将导电糊料分配到多个陶瓷片的至少一个上；将糊料嵌入在所述多个陶瓷片之间；将所述陶瓷片与所述糊料一起压实；及烧结糊料。

一种干燥半导体基板的方法可包括将干燥剂施加到半导体基板上，其中干燥剂润湿半导体基板。方法可包括将容纳半导体基板的腔室加热到高于干燥剂的大气压沸点的温度，直到达到腔室内的干燥剂的气液平衡。方法可进一步包括使腔室通气，其中通气使干燥剂的液相...

本文描述的实施方式通常关于一种处理腔室，其具有位于处理腔室的底部处的一个或多个进气端口。经由一个或多个进气端口进入处理腔室的气体通过位于一个或多个进气端口的每一个上方的板或通过一个或多个进气端口的每一个的成角度的开口而沿着处理腔室的下侧...

本文公开了一种在等离子体处理系统中使用的处理配件环。处理配件环包括环状主体及一或多个中空内部腔体。环状主体由耐等离子体材料形成。环状主体具有大于200mm的外部直径。环状主体包括顶表面及底表面。顶表面配置成面向处理腔室的等离子体处理区域...

质量流验证系统与设备可依据扼流原理而验证质量流控制器(MFC)的质量流速率。这些系统与设备可以包括并联耦接的多个不同尺寸的流量限制器。可以经由依据MFC的设定点而选择通过流量限制器中的一个的流动路径以验证各种流动速率。可以经由在扼流条件...

本文所描述实现大体涉及处理腔室中的金属氧化物沉积。更特定地，本文所公开的实现涉及组合的化学气相沉积和物理气相沉积腔室。使用单一氧化物金属沉积腔室，能够执行CVD及PVD两者以有利地减小均匀半导体处理的成本。此外，所述单一氧化物金属沉积系...

描述一种用于向处理腔室供应气体的设备和方法。设备包括入口管线和出口管线，它们各自有两个阀，与安瓿流体连通。旁通管线连接最靠近安瓿的入口阀和出口阀。设备和使用方法允许从处理腔室的输送管线中去除前驱物残余物。

描述了用于无缝间隙填充的方法，包括通过将基板表面暴露于含硅前驱物和共反应物来形成可流动膜。所述含硅前驱物具有至少一个烯基或炔基。可通过任何合适的固化工艺固化所述可流动膜，以形成无缝间隙填充。

根据本公开的一个方面，提供一种用于处理柔性基板(10)的处理系统(100)。所述处理系统包括：真空腔室(11)；传送系统，配置以沿基板传送路径(P)导引柔性基板(10)通过真空腔室(11)，其中传送系统包括第一基板支撑件(22)及相隔第...

本文描述用于控制处理腔室内的基板的处理的方法、设备和系统。在一些实施方式中，控制处理腔室内的基板处理的方法包括以下步骤：确定处理腔室中的可移动磁控管相对于基板的表面上的参考位置的位置和基于所确定的磁控管的位置来调节影响基板处理的至少一个...