本公开的实施例大体而言涉及集成电路制造。更具体而言，本文所述实施例提供用于在基板上沉积硼‑碳膜的技术。在一实施例中，提供处理基板的方法。方法包含使含烃气体混合物流动至具有基板定位于内的处理腔室的处理容积，其中基板经加热达约400℃至约7...

一种用于均匀等离子体处理的喷嘴包括入口部及出口部。该入口部具有基本上平行于垂直轴的侧表面。该入口部包括多个气体通道。该出口部被耦接到该入口部。该出口部包括多个出口。所述出口中的至少一个相对于该垂直轴成非直角的角度。

于此披露了用于支撑基板的设备的实施方式。在一些实施方式中，用于支撑基板的设备包括：支撑表面；和多个基板接触元件，所述多个基板接触元件从所述支撑表面突出，其中所述多个基板接触元件由一材料形成，所述材料具有小于或等于硅的硬度的硬度，具有低附...

本文提供基板支撑件的实施方式。在某些实施方式中，基板支撑件可包括具有支撑表面的主体；及第一加热器，第一加热器设置于主体内且具有第一加热线圈与多个加热区，其中第一加热线圈的绕组间距在多个加热区之间变化，以界定多个加热区之间的预定加热比率。

于此提供用于处理基板的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备包含室主体，该室主体封闭处理空间，该室主体包括室地板、与该室地板耦合的室壁、及与该室壁可移除地耦合的室盖，其中该室地板、该室壁及该室盖的至少一者包括用于热控制介质的流...

本公开是将静电吸盘结合到温度控制基部的方法。根据实施方式，在包括静电吸盘的介电主体与温度控制基部之间形成结合层。流孔延伸穿过介电主体并且与温度控制基部中的流孔对准。结合层还配置有开口，开口与介电主体和温度控制基部中的孔对准。在一个方面中...

本文公开用于处理半导体基板的装置。所述装置是具有光学透明的上圆顶及下圆顶的处理腔室。所述处理腔室在处理时维持真空。所述上圆顶通过使温度调节流体在所述处理区之外沿着所述上圆顶流动而被调节温度。热灯具被定位在下圆顶附近，且热传感器设置于所述...

提供一种处理腔室部件和用于制造所述处理腔室部件的方法。所述处理腔室部件以在此描述的方式制造，并包括在腔室部件的表面上至少一宏观纹理的产生。所述宏观纹理由多个经设计的特征结构所限定，所述经设计的特征结构在腔室部件的表面上以预定方向布置。在...

本文提供用于处理腔室中使用的挡板盘。在某些实施方式中，处理腔室中使用的挡板盘可包括具有外周的主体、主体的顶表面与主体的底表面，其中顶表面包括具有实质上水平的平坦表面的中央部分，以及由中央部分以径向向外设置的至少一个斜角结构，每个所述至少...

于此所公开的实施例通常关于用于提供处理气体到半导体处理腔室中的改进的均匀分配的气体分配组件。气体分配组件包括气体分配板、区隔板和双区喷头。气体分配组件提供独立的中心到边缘的流动地带性、独立的两种前驱物输送、经由混合歧管的两种前驱物混合及...

在此提供处理配件屏蔽件和含有处理配件屏蔽件的处理腔室的实施方式。在一些实施方式中，单件式处理配件屏蔽件包括：圆柱形主体，所述圆柱形主体具有上部和下部；热传递通道，所述热传递通道延伸通过上部；和盖环区段，所述盖环区段从下部径向向内延伸。

本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所...

本公开内容提供一种使用期望材料形成用于半导体晶片的水平环绕式栅极(hGAA)结构场效应晶体管(FET)的纳米线结构的设备与方法。一个范例中，一种形成纳米线结构的方法包括将介电材料沉积在堆叠的第一侧与第二侧上。堆叠可包括重复多对的第一层与...

描述使用压印平版印刷进行图案化的方法、用于压印平版印刷的印模、卷对卷基板处理设备的压印辊、及基板处理设备。所述方法包括：在基板上提供导电浆料的层，其中导电浆料的粘度为0.3Pa.s或更高，特别地为1.5pa.s或更高；将印模压印在导电浆...

本文公开了具有可调喷头和可调衬垫的处理腔室。在一些实施例中，工艺腔室包括：喷头；腔室衬垫；第一阻抗电路，所述第一阻抗电路耦接至喷头以调节喷头的阻抗；第二阻抗电路，所述第二阻抗电路耦接至腔室衬垫以调节腔室衬垫的阻抗；以及控制器，所述控制器...

实施方式包括模块式微波源。在一个实施方式中，模块式微波源包括电压控制电路、电压控制振荡器，其中来自该电压控制电路的输出电压驱动电压控制振荡器中的振荡。模块式微波源也可包括耦接至电压控制振荡器的固态微波放大模块。在一个实施方式中，固态微波...

描述了精密丝网印刷，所述精密丝网印刷能够使得印刷在生坯片陶瓷上的金属化材料具有次微米均匀性。在一些示例中，通过在陶瓷生坯片上以电迹线的图案而丝网印刷含有金属的糊料而形成具有电迹线的圆盘，并且处理所印刷的生坯片以形成工件载体的圆盘。在一些...

本文公开的实施例总的来说涉及用于等离子体处理设备的泵送系统。所述泵送系统包括：第一泵路径、第二泵路径、第一阀和第二阀。第一泵路径将处理腔室的基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的排气口。第二泵路径将基板支撑组件的开口耦接至处理腔室的抽气区域...

描述一种用于在真空腔室(101)内处理基板(10)的设备(100)。所述设备包括对准系统(20)和屏蔽装置(105)。对准系统(20)包括第一装配件(21)、第二装配件(22)和对准单元(25)，第一装配件(21)用于使基板载体(11)...

说明一种用于在真空腔室(101)中处理基板(10)的设备(100)。所述设备包含第一载体运输系统、对准系统(20、120)、第一移位装置(41、141)和共用支撑结构(50、150)；第一载体运输系统经配置以沿着第一运输路径在第一方向(...