用于原位清洁工艺腔室的方法和装置制造方法及图纸

本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。一种基板处理腔室可以包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体上，并且包括第一流动通道，所述第一流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；腔室底，所述腔室底包括第二流动通道，所述第二流动通道被流体耦接到所述内部容积，以便选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及泵环，所述泵环设置在所述内部容积中并与所述内部容积流体连通，所述泵环包括：上部腔室，所述上部腔室被流体耦接到下部腔室；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述下部腔室，以便选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。

Method and device for in-situ cleaning process chamber

This paper provides a method and device for in-situ cleaning of the substrate treatment chamber. A substrate processing chamber may include: a chamber body, the chamber body encapsulating the internal volume; a chamber cover, the chamber cover removably coupled to the chamber body and comprising a first flow channel, the first flow channel being fluid coupled to the internal volume in order to selectively connect the internal volume with the first outlet or to densify the internal volume. The first outlet is sealed off; the chamber bottom comprises a second flow channel, which is fluid coupled to the inner volume so as to selectively connect the inner volume with the first inlet or seal the inner volume to separate the first inlet; and the pump ring, which is arranged in the inner volume and is inside the said inner volume. The pump ring comprises an upper chamber, the upper chamber is fluid-coupled to the lower chamber, and a second outlet, the second outlet is fluid-coupled to the lower chamber, so as to selectively connect the inner volume with the second outlet or seal the inner volume to separate the second outlet.

【技术实现步骤摘要】
用于原位清洁工艺腔室的方法和装置本申请是申请日为2014年12月2日申请的申请号为201480063929.7，并且专利技术名称为“用于原位清洁工艺腔室的方法和装置”的专利技术专利申请的分案申请。
本公开内容的实施方式总体涉及基板处理设备。
技术介绍
基板处理系统(诸如等离子体反应器)可用来在支撑于处理腔室内的基板上沉积、蚀刻或形成层。所述工艺可能在处理腔室的各部分上造成不当的沉积。处理腔室的清洁工艺周期性地进行清洁，以去除可能积聚在腔室中的不当的沉积以及废物。在一些清洁工艺(有时称为原位清洁(In-situcleaning))中，清洁气体被引入到腔室以对腔室以及内部部件进行清洁，并且接着将清洁气体排至适当处理设备。本专利技术人已观察到在一些原位清洁工艺中，清洁气体并未充分清洁腔室表面并且可能完全未接触到一些表面。因此，本专利技术人在本文中已提供可使原位清洁工艺性能提高的装置和方法。
技术实现思路
本文提供用于原位清洁基板处理腔室的方法和装置。在一些实施方式中，一种基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖可移除地耦接到所述腔室主体的上部部分，所述腔室盖包括本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理腔室，所述基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖耦接到所述腔室主体的上部部分；腔室底，所述腔室底耦接到所述腔室主体的下部部分；第一流动通道，所述第一流动通道经由所述腔室盖流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；第二流动通道，所述第二流动通道经由所述腔室底流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以...

【技术特征摘要】
2013.12.02 US 61/910,946;2014.12.02 US 14/557,6711.一种基板处理腔室，所述基板处理腔室包括：腔室主体，所述腔室主体包封内部容积；腔室盖，所述腔室盖耦接到所述腔室主体的上部部分；腔室底，所述腔室底耦接到所述腔室主体的下部部分；第一流动通道，所述第一流动通道经由所述腔室盖流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一出口相通或将所述内部容积密封以与所述第一出口隔开；第二流动通道，所述第二流动通道经由所述腔室底流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与第一入口相通或将所述内部容积密封以与所述第一入口隔开；以及第二出口，所述第二出口被流体耦接到所述内部容积并且适于选择性地使所述内部容积与所述第二出口相通或将所述内部容积密封以与所述第二出口隔开。2.根据权利要求1所述的腔室，其中，所述第一流动通道还进一步适于选择性地使所述内部容积与第二入口相通或将所述内部容积密封以与所述第二入口隔开。3.根据权利要求2所述的腔室，进一步包括：第二气体供源，所述第二气体供源耦接到所述第二入口以提供工艺气体或清洁气体中的至少一种。4.根据权利要求1所述的腔室，进一步包括：基板支撑件，所述基板支撑件设置在所述内部容积中，所述基板支撑件包括具有顶表面的板，其中所述板将所述内部容积分成介于所述顶表面与所述腔室盖之间的处理区域以及介于所述顶表面与所述腔室底之间的非处理的区域。5.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的腔室，进一步包括：第一气体供源，所述第一气体供源经由阀流体耦接到所述第一流动通道，使得所述内部容积可以选择性地通向所述第一气体供源和对所述第一出口封闭、通向所述第一出口和对所述第一气体供源封闭、或者对所述第一气体供源和所述第一出口两者封闭。6.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的腔室，进一步包括：阀，所述阀被流体耦接到所述第一流动通道，适于选择性地使所述内部容积与所述第一出口或第一气体入口相通。7.根据权利要求1至4中任一项权利要求所述的腔室，进一步包括以下至少一个...

【专利技术属性】
技术研发人员：乔尔·M·休斯顿，尼古拉斯·R·丹尼，高建德，
申请(专利权)人：应用材料公司，
类型：发明
国别省市：美国,US