本发明的一种形态所涉及的半导体装置，包括：装置本体；一个电源布线板；多个输出布线板；以及多个半导体元件。在装置本体的长度方向上，彼此相邻的任何两个输出布线板中，均是一方的输出布线板的窄幅部与另一方的所述输出布线板的宽幅部彼此相向。在装置...

一种磁性部件，其特征在于，包括：核心80，具有脚部81；线圈构造体，具有：由被卷装在脚部81周围的导体构成的线圈10、20、以及被设置在导体之间的两个以上的散热绝缘片100；以及散热体91、92，与核心80的端面相接触的同时，朝散热绝缘...

一种线圈构造体，具有：由导体构成的线圈150、以及被设置在构成所述线圈150的所述导体之间的绝缘片100。所述绝缘片100被设置有两个以上。两个以上的所述绝缘片100至少具有两种以上不同热传导率或介电常数的绝缘片100。

本发明的分流电阻的安装构造,包括：形成有第一以及第二导电图形的印刷电路基板以及通过由导电性材料构成的接合构件安装在基板的一个面上的分流电阻，第一导电图形具有第一导出部以及从所述第一导出部的前端部引出至分流电阻的区域外的第一引出部，第二导...

本发明的半导体装置(10)，包括：相互隔开配置的多个布线板(24～30、81～86)；配置在布线板(24～30、81～86)的第一主面上的，与布线板(24～30、81～86)电气连接的半导体元件(91～96)；与布线板(24～30、81...

一种半导体装置的制造方法，包含将形成于半导体基板表面的氧化膜部分去除的氧化膜去除工序，其特征在于：所述氧化膜去除工序包括：第一工序，在不运用光刻工序的情况下在所述氧化膜的上方面上选择性地形成抗蚀玻璃层；第二工序，对所述抗蚀玻璃层进行烧制...

半导体装置的制造方法，包含：半导体晶片准备工序，准备在玻璃覆盖膜形成面上形成有台面沟槽的半导体晶片；以及玻璃覆盖膜形成工序，在使无铅玻璃微粒子悬浮于溶媒的悬浮液中，将第一电极板与第二电极板以在所述悬浮液中浸渍后的状态对向设置，同时，在所...

碳化硅半导体装置(100)的制造方法，包括：在碳化硅晶片(10)的表面侧形成表面电极(30)的工序；从背面侧将碳化硅晶片(10)变薄，从而将碳化硅晶片(10)薄板化的工序；在薄板化后的碳化硅晶片(10)的背面设置金属层(21)的工序；在...

在功率模块内的功率半导体元件发生短路故障时，瞬间阻断短路电流从而防止温度急剧上升。功率模块10具有封装件10a。在封装件10a内，具有：作为功率半导体元件的MOSFET21；对该MOSFET21的运作状态进行检测后输出检测信号的作为检测...

本发明的半导体装置(10)，至少包括一个具有：装置本体(20)、从装置本体(20)处突出的电源端子(31、32、33)、输出端子(34、35、36)、以及接地端子(37、38、39)的电路单元(41、42、43)，其中，输出端子(34、...

半导体装置(100)包括：本体部(50)；半导体元件(51)；封装部(60)；以及从封装部(60)朝作为向外方向的第一方向突出的第一引线(10)，其中，第一引线(10)具有：第一基端部(11)，沿第一方向设置；突出部(12)，从第一基端...

半导体器件(90)的载置台(100)，包括：涂布有具有粘性的散热剂(80)，并且载置有半导体器件(90)的本体部(10)；以及位于所述本体部(10)的外围，并且未载置有所述半导体器件(90)的突出部(20)。所述突出部(20)的表面上设...

半导体装置具有：多个第一导体部10、多个第二导体部20、以及覆盖所述第一导体部10以及所述第二导体部20的上方面的封装部50。其中，所述第一导体部10与所述第二导体部20连接。再将所述第一导体部10的第一端子11作为电源端子利用的情况下...

半导体器件(90)的载置台(100)，包括：载置有半导体器件(90)的本体部(10)；以及用于将所述半导体器件(90)固定在所述本体部(10)上的固定部(40)。所述本体部(10)具有：支撑部(12)、以及位于所述支撑部(12)的内周侧...

本发明的起动发电装置，包括：起动发电机，具备：电枢部，并联配置有由多相线圈组成的第一绕组部以及第二绕组部、以及励磁部，由永久磁铁组成；直流交流转换部，具有与所述第一绕组部相连接的第一交流端子，并且在直流与交流间双方向地对电力进行转换；以...

车辆用电力供给系统，包括：第一控制用MOS晶体管，其一端与三相桥式电路的一端相连接，其另一端与输出端子相连接；第一控制用体二极管，其阴极与第一控制用MOS晶体管的一端相连接，其阳极与第一控制用MOS晶体管的另一端相连接；第二控制用MOS...

车辆用电力供给系统，包括：第一控制用晶体管，其一端与三相桥式电路的一端相连接，其另一端与主开关的一端相连接；第一控制用寄生二极管，其阳极与第一控制用晶体管的一端相连接，其阴极与第一控制用晶体管的另一端相连接；第二控制用晶体管，其一端与电...

半导体装置100包括：栅电极126，配置于沟槽122内，并且，在侧壁的部分经由栅极绝缘膜124与p型基极区域116相对；屏蔽电极130，配置于沟槽122内，并且，位于栅电极126与沟槽122的槽底之间；沟槽22内的电气绝缘区域128，在...

【课题】即使使用线膨胀系数小的模塑树脂，也能够在温度变化时，抑制将引线的端子部与配线基板结合的焊锡发生开裂。【解决手段】本实施方式所涉及的引线框1，其特征在于，包括：引线部2，具有内部引线3以及与内部引线3相连接的外部引线4；以及，框架...

一种宽带隙半导体装置，其特征在于，包括:第一导电型半导体层(32)；第二导电型区域(41)、(42)，设置在所述第一导电型半导体层(32)上；第一电极(10)，其一部分位于第二导电型区域(41)、(42)上，其残余部分位于所述第一导电型...