本发明提供了一种抑制漏电流，可以在流通微小电流的区域降低电压降的半导体装置及其制造方法。半导体装置的制造方法如下：在ｎ型半导体层的一侧表面附近，形成浓度设定成在流通微小电流的区域产生电压降的ｐ型半导体层，形成ｐｎ结；在ｐ型半导体层的表面...

本发明涉及蓄电池充电和亮灯控制电路。不充电时，闸流管（７－１）即使其半波成分（Ｗｐ）上升，也保持断开。半波成分（Ｗｐ）的电压呈与无负载时的正弦波接近的波形。电压检测电路（８０１）检测半波成分（Ｗｐ）的电压。电压移位电路（８０３）把检测到...

本发明公开了一种电力转换器，将从发电机输出的交流电转换成直流电以提供给电池（负载）。该电力转换器包括被连接在发电机输出单元与负载之间的晶闸管（开关单元）以及门控制单元（控制单元），该门控制单元（控制单元）用于产生与从发电机输出的交流电的...

本发明是一种引擎发电机用升压电源及其控制方法。这是在无触点式的引擎点火装置中，可以利用脚踏（ｋｉｃｋ）方式进行引擎点火的点火装置。在与连接于接受来自脚踏式驱动发电机的起动电流的电压调整装置的ＥＣＵ等电子设备之间，并联连接仅在利用脚踏进行...

本发明提供一种开关电源装置，能够以少量的部件构成，并能够有效地改善电源效率。该开关电源装置包括：开关电路（Ｓ１～Ｓ４），用于将直流输入电力转换为交流电力；变压器（Ｔ），具有被供给所述交流电力的初级绕组；第一整流器（Ｄ２１、Ｄ２２），用于...

提供一种抗破坏性强的半导体装置。与位于同一基极扩散区１７ａ底面的埋入区４４ａ相互间的距离Ｗｍ↓［１］相比，位于不同基极扩散区１７ａ底面的、相互相对的埋入区４４ａ间的距离Ｗｍ↓［２］设置得较小（Ｗｍ↓［１］＞Ｗｍ↓［２］）。由于在基极扩散...

在设置于衬底上的第１电极膜的表面上，依次形成以三硫化二锑为主成分的电荷移动层，以无定型硒为主成分的Ｘ射线检测层，第２电极膜，按照第１电极膜侧为正极，第２电极膜侧为负极的方式，施加电压，对第２电极膜的表面辐射Ｘ射线，此时在该Ｘ射线检测层内...

本发明的目的在于提供一种闸流晶体管型的半导体装置及其制造方法，其在硅底板２０上设置电极端子１３、１４时，即使使用现有技术的制造装置，也能够防止因电极端子１３、１４的大幅度倾斜而与硅底板２０发生接触，同时，即使硅底板２０发生翘曲，也能够防...

碳化硅半导体器件。一种半导体器件，包括：绝缘膜；第一半导体层，其具有第一导电型４Ｈ－ＳｉＣ的第一主要成分；以及第二半导体层，其具有第二导电型４Ｈ－ＳｉＣ的第二主要成分。所述第二半导体层具有与所述第一半导体层的ｐｎ结。该ｐｎ结具有结边缘。...

本发明提供高耐压的半导体装置。由细长的主沟部２６和与主沟部的长度方向侧面连接的副沟部２７构成活性沟２２ａ，在主沟部２６的底面上，配置其高度低于第二导电型的基极扩散区３２ａ的底面的第二导电型的埋入区２４，在副沟部２７内配置与基极扩散区３２...

本发明提供一种高耐压的半导体器件。由细长的主沟槽部（２６）和与主沟槽部的长度方向侧面连接的副沟槽部（２７）构成有源沟槽（２２ａ），在主沟槽部（２６）的底面上，配置其高度比第二导电类型的基底扩散区（３２ａ）的底面低的第二导电类型的埋入区（...

本发明涉及制造在沟底面设置了沟道截断环的台面型半导体装置的半导体装置的制造方法，不需要用于形成沟道截断环的掩膜形成工序且形成沟时不需要精密的蚀刻技术的半导体装置的制造方法。更为具体地来说，半导体装置的制造方法的特征在于依次包括：从第１主...

本发明提供了制造半导体器件的方法、工具和装置。这种制造半导体器件的方法包括：通过使用接合度增加机构，增加作为加热件的基座和放置在该基座上的半导体基板之间的接合度，或通过使用传热增加机构，增加传递至放置在作为加热件的基座上的半导体基板的热...

本发明揭示一种可控硅劣化判定装置及其方法，以往没人知道判定可控硅劣化的装置，而在可控硅上增设保护电路。按照本发明，也不管加在可控硅栅极的栅极信号是否是断，只要这时可控硅本来是非导通状态，而栅极与阴极间的电压又超过规定阈值时，即判定可控硅...

一种电容器充电／放电式的点火装置，其中发动机只有在钥匙开关被工作时才启动。点火装置包含启动电源、ＤＣ－ＤＣ转换器、点火钥匙开关、点火电容器、闸流晶体管、点火线圈、脉冲发生器线圈和钥匙开关工作检测电路。在点火钥匙开关中设置了第二开关，以和...