本发明涉及热电材料技术领域，提供了一种高择优取向的N型碲化铋基晶棒及其制备方法，该制备方法采用变径加扭转挤压的热挤压的方法，提高N型碲化铋基材料在(00l)方向上的取向结构，也优化了N型碲化铋基材料的热电性能。

本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化锡铌靶材的制备方法，以氧化锡、氧化铌为原料制备氧化锡铌靶材；所述氧化铌为Nb2O5以及Nb2O4、Nb2O3中的至少一种。该方法采用了多种价态的氧化铌为原料，使最终产品中绝大部分为五价氧化铌以及少...

本申请属于靶材制备技术领域，公开了一种高密度CZT靶材的制备方法，该方法先将锌粉、碲化镉粉、碲粉、银粉按9～15：65：20～30：0.01～0.03的质量比混合，得到粉体一，再将粉体一烧结、破碎、过筛，得到粒径为80～120目的粉体二...

本发明属于涉及金属回收技术领域，公开了一种从含铟物料中回收铟的方法，包括如下步骤：步骤1：将溅射设备挡板清洗过程中收集到的含铟物料烘干至水分＜3％；步骤2：将步骤1烘干后的含铟物料放入混料机内加入碳粉混合均匀得到混合物料；步骤3：将步骤...

本发明属于燃料电池领域，具体涉及一种固体氧化物燃料电池连接片回收再利用方法，采用喷砂枪将砂喷至固体氧化物燃料电池连接片的表面，以清理连接片上以及连接片表面的凹槽内的LSM涂层、高温胶、氧化物层中的至少一者。通过该方法可以有效的对连接片上...

本发明涉及热电材料技术领域，提供了一种高电性能的N型碲化铋基晶棒及其制备方法，包括如下步骤：步骤1：将化学计量比为Bi<subgt;2</subgt;Te<subgt;3‑x</subgt;Se<subgt...

本发明属于金属提纯技术领域，公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10‑3Pa‑8*10‑3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启...

本发明属于原料回收技术领域，公开了一种从硒化铟中回收铟和硒的方法，包括如下步骤：步骤1：将硒化铟粉末在氧气氛围下升温至700‑1000℃，保温2‑5h得到氧化硒气体和氧化铟粉末；步骤2：将氧化硒气体通入水中形成硒酸，再将硒酸在二氧化硫气...

本申请属于硝酸锰溶液制备领域，公开了一种硝酸锰溶液的制备方法，该方法结合塔柱反应釜实施，其中塔柱反应釜包括反应釜本体和套设在反应釜本体外表面的夹套，所述塔柱反应釜外表面设有进料口、出料口、进水口、出水口，所述进料口、出料口分别与反应釜本...

本申请属于靶材制备技术领域，公开了一种CoHf平面靶的制备方法，该方法先将金属钴、金属铪重叠交错地铺排在真空坩埚里加热、熔化，随后随炉冷却，得到CoHf合金锭，再将CoHf合金锭熔化并浇注至模具内，浇注完成后，随炉冷却至室温出炉，得到C...

本发明属于金属氧化物材料制备技术领域，公开了一种二氧化钌的制备方法。所述制备方法包括如下步骤：将钌粉经粉碎后与固体碱和氧化剂混合，加热至500～650℃搅拌反应，反应产物经冷却后加入纯水溶解，得到碱熔水浸液；在所得碱熔水浸液中加入小分子...

本发明属于半导体粉体材料制备技术领域，公开了一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将半导体材料经粉碎后装入石墨舟中，然后装入水平煅烧炉内；(2)在水平煅烧炉内通入惰性气体置换空气，然后持续通入惰性气体保...

本发明属于贵金属钌回收技术领域，公开了一种从可溶性钌渣中富集钌的方法，包括如下步骤：步骤1：将可溶性钌渣溶解在水中形成溶液；步骤2：往步骤1的溶液中滴加碱液，将溶液的pH值调至4‑6；步骤3：将步骤2得到的溶液加热至45‑75℃并搅拌，...

本发明属于低温焊料技术领域，具体涉及一种掺Ag的Sn‑Bi低温焊料及其制备方法与应用。本发明采用于Sn‑Bi合金中添加Ag元素，调整Sn、Bi、Ag的摩尔比为1:1:(0.02～0.05)，使得Sn‑Bi合金中Bi偏析达到最少，Bi呈弥...

本发明公开了一种纯钒的金相显示方法，属于金相检测技术领域，所述的纯钒的金相显示方法，包括以下步骤：(1)使用水刀或线切割对纯钒进行切割，得到样品；(2)将样品进行粗磨、精磨；(3)将样品用抛光机进行抛光，清洗，干燥；(4)将样品置于稀硝...

本发明公开了一种碲硒锌平面靶材及其制备方法，属于靶材加工技术领域。该方法以硒化锌粉体对碲化锌粉体进行掺杂制备碲锌硒靶材，使得靶材可以实现常温带隙调控至2.15～2.82eV范围，并且相比于碲化锌提升材料对光的透射率；另一方面，为了保障靶...

本发明公开了一种Cd旋转靶材的制备方法，属于半导体材料技术领域，包括以下步骤：(1)将内衬管安装于模具内部，将内衬管外表面金属化，所述背板和模具密封模具组件；(2)将模具内壁与内衬管外壁进行预热；(3)将Cd锭熔化，搅拌均匀；(4)将熔...

本公开提供了一种氧化铝陶瓷基板及其制备方法与应用，属于陶瓷电路基板技术领域。本公开氧化铝陶瓷基板的制备方法包括以下步骤：将研磨料和研磨溶剂混合，进行第一次球磨，所得第一混合液与粘结剂混合，进行第二次球磨，所得第二混合液加入消泡剂，进行脱...

本发明公开了一种碲化镁合金及其制备方法，属于半导体技术领域，包括以下步骤：按照摩尔比为1：(1～1.25)准备镁块、碲块；将镁块均匀的分成n块，将碲块均匀的分成n‑1块，将镁块和碲块采用交替叠块的方法进行叠块；将叠块后的物料置于单晶炉中...

本发明涉及贵金属生产技术领域，公开了一种制备β‑型三氯化钌的烘干方法，本方法采用一种烘干搅拌装置，本方法包括如下步骤：步骤1：将β‑型三氯化钌溶液加入到罐体中；步骤2：驱动电机以150～180r/min的转速驱动搅拌轴对溶液进行搅拌，同...