一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法技术

本发明专利技术属于半导体粉体材料制备技术领域，公开了一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将半导体材料经粉碎后装入石墨舟中，然后装入水平煅烧炉内；(2)在水平煅烧炉内通入惰性气体置换空气，然后持续通入惰性气体保护；(3)将水平煅烧炉升温至低于半导体材料熔点150～350℃的温度保温煅烧处理；(4)将步骤(3)保温煅烧处理后的物料自然降温至室温，然后筛分使煅烧产生的假性结团重新分散，即可得到流动性更好的半导体粉体材料。本发明专利技术方法具有处理工艺简单，设备要求低，工艺周期短，操作便捷，效果明显，易于实现大规模批量生产的优点。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术属于半导体粉体材料制备，具体涉及一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法。

技术介绍

1、p型半导体与n型半导体可以通过冶金结界面紧密的接触形成p-n结，p-n结具备反向击穿性、单向导电性、伏安特性、电容特性的特点，使得p-n结在二极管以及光伏发电方面得到广泛的运行。

2、碲化锌(znte)等半导体材料因具有良好的光导、荧光等特性，广泛应用于太阳能电池及红外材料。但上述半导体材料在应用时需要具备优异粒度均匀性和流动性。而目前国内外关于提高半导体材料粉体流动性的方法鲜有报道。

3、专利cn 117182084 a公开了一种高均质高流动性钼合金粉体的制备方法，通过“行星式球磨+砂磨”的两步球磨方式，在极短的时间内实现了多元混合粉体的均化与细化，后续团聚造粒后结合采用等离子球化技术对球形团聚粉体进行表面瞬时微烧结，改善了传统真空烧结工艺烧结时间长、晶粒易长大、流动性不高等不足，可快速获得流动性优于20s/50g的高品质钼合金热喷涂粉体。然而上述方法采用等离子球化技术进行粉体表面修饰，存在处理设备复杂、成本较高的缺点。

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【技术保护点】

1.一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(1)中所述半导体材料为碲化锌；步骤(3)中所述保温煅烧处理的温度为800～900℃。

3.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(1)中所述粉碎是指粉碎至粒度为60μm～400μm。

4.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(2)中所述通入惰性气体置换空气是指通入流量为10L/min的N2 30min；所述持...

【技术特征摘要】

1.一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(1)中所述半导体材料为碲化锌；步骤(3)中所述保温煅烧处理的温度为800～900℃。

3.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(1)中所述粉碎是指粉碎至粒度为60μm～400μm。

4.根据权利要求1所述的一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法，其特征在于，步骤(2)中所述通入惰性气体置换...

【专利技术属性】
技术研发人员：李德官，范文涛，张晓越，吴胜，胡智向，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：