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本发明属于半导体粉体材料制备技术领域，公开了一种高温煅烧提高半导体材料粉体流动性的方法。所述方法包括如下步骤：(1)将半导体材料经粉碎后装入石墨舟中，然后装入水平煅烧炉内；(2)在水平煅烧炉内通入惰性气体置换空气，然后持续通入惰性气体保护；...
该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。

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