一种碲硒锌平面靶材及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种碲硒锌平面靶材及其制备方法，属于靶材加工技术领域。该方法以硒化锌粉体对碲化锌粉体进行掺杂制备碲锌硒靶材，使得靶材可以实现常温带隙调控至2.15～2.82eV范围，并且相比于碲化锌提升材料对光的透射率；另一方面，为了保障靶材的均匀性、密实性和力学强度，本发明专利技术所述制备方法采用双段升温加压的方法对粉体加热制备，使得制备的碲锌硒平面靶材相对密度达到96％以上，并且抗弯强度高，均匀性好。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及靶材加工领域，具体涉及一种碲硒锌平面靶材及其制备方法。

技术介绍

1、碲化锌是一种高吸收系数的p型半导体材料，在薄膜太阳能溅射镀膜领域具有较广的应用前景。然而碲化锌的常温带隙为2.26ev，无法进一步实现领域预期的2.15～2.82ev范围，并且该材料对于光的透射率也有待提升。

2、现有技术中，可以采用掺杂的方式对碲化锌进行改性，从而调控其常温带隙，但是这样的掺杂可能会影响材料本身的物性性质和均匀性，甚至基于工艺差异使得材料的相对密度可能变低，无法达到使用要求。

技术实现思路

1、基于现有技术存在的缺陷，本专利技术的目的在于提供了一种碲硒锌平面靶材的制备方法，该方法以硒化锌粉体对碲化锌粉体进行掺杂制备碲锌硒靶材，使得靶材可以实现常温带隙调控至2.15～2.82ev范围，并且相比于碲化锌提升材料对光的透射率；另一方面，为了保障靶材的均匀性、密实性和力学强度，本专利技术所述制备方法采用双段升温加压的方法对粉体加热制备，使得制备的碲锌硒平面靶材相对密度达到96％以上，并且抗弯强度高，均匀性本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述硒化锌粉体的过筛目数为100～150目，碲化锌粉体的过筛目数为100～150目。

3.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述硒化锌粉体与碲化锌粉体的原子比为(5:5)～(2:8)。

4.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)中保护气氛为氩气、氮气中的至少一种，所述硒化锌粉体与碲化锌粉体的混合时间为4～6h。

5.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述...

【技术特征摘要】

1.一种碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

2.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述硒化锌粉体的过筛目数为100～150目，碲化锌粉体的过筛目数为100～150目。

3.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述硒化锌粉体与碲化锌粉体的原子比为(5:5)～(2:8)。

4.如权利要求1所述碲硒锌平面靶材的制备方法，其特征在于，所述步骤(1)...

【专利技术属性】
技术研发人员：李云洪，文崇斌，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：