一种低硅含量高纯铟的制备方法技术

本发明专利技术属于金属提纯技术领域，公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10‑3Pa‑8*10‑3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启加热升温至400‑600℃，保温1‑2h得到所述低硅含量高纯铟。本发明专利技术公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，可以将高纯铟中的硅元素含量降低到＜10ppbw，有效提高高纯铟的使用性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及金属提纯，具体涉及一种低硅含量高纯铟的制备方法。

技术介绍

1、铟是银白色并略带淡蓝色的金属，质地非常软；铟的可塑性强，有延展性，可压成片，熔点156.61℃、沸点2060℃。金属铟主要用于制造低熔合金、轴承合金、半导体、电光源等，其中高纯铟(5n及以上)主要用于制备化合物半导体材料、薄膜太阳能电池cigs、ito靶材。ito(用于生产液晶显示器和平板屏幕)是铟锭的主要消费领域，占全球铟消费量的70％；电子半导体领域，占全球消费量的12％；焊料和合金领域占12％；研究行业占6％。

2、现有技术1：中国专利申请201310485991.2公开了一种高纯铟的制备方法，该方法包括以下步骤：1)对ito废靶材进行破碎、研磨，得到靶材碎块；2)将靶材碎块置于还原炉中进行氧化还原反应，得到铟锡合金；3)将铟锡合金置于熔融的电解质中进行熔盐电解分离，阴极析出铟金属；4)以步骤3)所得的铟金属作为阳极进行二次电解提纯，得到高纯铟。

3、该专利技术申请的技术方案所得产品的纯度达到99.995％以上，其产率高，生产成本低廉，材料的回收率高本文档来自技高网...

【技术保护点】

1.一种低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，所述铟原料为6N及以上纯度的铟原料。

3.根据权利要求2所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，铟原料通过以下步骤制备得到：将纯度5.5N的铟装入石墨舟内，将石墨舟装入区熔炉进行区域熔炼得到6N及以上纯度的铟原料。

4.根据权利要求3所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，所述区域熔炼的熔炼温度为180℃，熔炼次数为5次。

5.根据权利要求1所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，所述步骤1的具体操作为：将...

【技术特征摘要】

1.一种低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：

2.根据权利要求1所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，所述铟原料为6n及以上纯度的铟原料。

3.根据权利要求2所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，铟原料通过以下步骤制备得到：将纯度5.5n的铟装入石墨舟内，将石墨舟装入区熔炉进行区域熔炼得到6n及以上纯度的铟原料。

4.根据权利要求3所述的低硅含量高纯铟的制备方法，其特征在于，所述区域熔炼的熔炼温度为180℃，熔炼次数为5次。

5.根据权利要求1所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：胡智向，田庆华，朱刘，贺全涛，许志鹏，
申请(专利权)人：先导薄膜材料广东有限公司，
类型：发明
国别省市：