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本发明属于金属提纯技术领域，公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10‑3Pa‑8*10‑3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启加热...该专利属于先导薄膜材料（广东）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过先导薄膜材料（广东）有限公司授权不得商用。
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本发明属于金属提纯技术领域，公开了一种低硅含量高纯铟的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将铟原料放入氢化炉内，抽真空至真空度为5*10‑3Pa‑8*10‑3Pa；步骤2：通惰性气体至常压，保压30min；步骤3：将惰性气体置换成氢气，开启加热...