本发明属于钌基催化剂制备领域，具体公开一种硝酸钌及其制备方法。本发明通过在水解过程添加表面活性剂并配合后续的煅烧过程，可以提高制得的硝酸钌粉体的分散性，降低制得的硝酸钌粉体颗粒的粒度，明显降低钠与氯等杂质的含量，提高了硝酸钌产品的纯度。

本发明涉及热电材料技术领域，提供了一种高性能P型碲化铋基晶棒及其制备方法，包括以下步骤：步骤1：将碲化铋基合金制备为前驱体；所述碲化铋基合金的化学计量比为BixSb2‑xTe3+y wt.％Te；x＝0.3～0.7；y＝3～5；步骤2：...

本申请属于化工废料回收技术领域，公开了一种从废手套中回收镧锶钴锰结晶的方法，先将表面残留有镧锶钴锰材料的废手套剪切并放入硫酸溶液中酸浸，得到固液混合物，再向固液混合物中加入双氧水、亚硫酸钠中的至少一种，并升温至45～65℃，反应1～5h...

本技术涉及熔炼炉技术领域，提供了一种用于熔炼炉的坩埚漏斗组合，包括坩埚、进料漏斗、投料漏斗，所述坩埚可拆卸连接在外设熔炼炉的加热器内，所述进料漏斗包括一体成型的上端部和下端部，所述下端部位于坩埚内，且下端部与坩埚可拆卸连接，所述上端部位...

本技术涉及I TO旋转靶材生产技术领域，公开了一种I TO旋转靶烧结塑型辅助盘，包括具有支撑面的放置部以及自所述支撑面沿第一方向延伸形成的塑型部，所述塑型部具有与I TO旋转靶材的内壁面贴合的外圆周面，所述塑型部用于对所述I TO旋转靶...

本技术涉及线切割技术领域，提供了一种靶材线切割工装，包括设有上端面开放的空腔的机架，所述机架上设有至少2个抵紧模块；所述抵紧模块包括支座、转动块；所述支座固定在机架上；所述转动块的一端可转动地固定在支座上、转动块的另一端在空腔内活动并设...

本技术属于废水处理技术领域，涉及一种处理高温氨氮蒸馏水的装置。处理高温氨氮蒸馏水的装置包括：冷却装置，高温氨氮蒸馏水通过冷却装置冷却降温；中和调节罐，通过冷却装置冷却降温后的氨氮溶液输入中和调节罐与浓硫酸反应；RO膜过滤系统，经过中和调...

本技术属于ITO靶材生产设备技术领域，具体涉及一种靶坯及模具。靶坯包括：第一坯体层和第二坯体层，第一坯体层一体成型在第二坯体层的一端；第一坯体层的外侧壁具有预定的倾斜角度。本技术将压制成型的第一坯体层外侧壁设置成斜面，减少了加工斜面的时...

本技术涉及液体循环设备技术领域，公开了一种循环系统，包括：电解槽，所述电解槽设有溢流口和进液口；分流进液管，所述分流进液管设于所述电解槽的槽底部，所述分流进液管的两端封闭，所述分流进液管的管壁上沿轴向间隔开设有多个出液孔，各所述出液孔的...

本发明涉及靶材烧结领域，公开了一种优化圆筒状靶材烧结温场的方法，所述方法采用一种烧结装置，该烧结装置包括炉体和固定架，所述固定架放置于炉体内，所述固定架为由多条隔条交错组成的三维网格结构，所述固定架的外周设有可拆卸的密封块；所述炉体设有...

本申请属于靶材再回收利用技术领域，公开了一种ITO废靶回收再制备靶材的方法，该方法先将ITO废靶酸洗、加热蒸发、冷却、收粉，得到粉体，再将粉体与纯水混合、研磨，得到浆料一，其中粉体与纯水的质量比为0.4～0.6：1，随后向浆料一中加入粘...

本发明属于半导体技术领域，公开了一种大尺寸氧化铟锌靶材的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将氧化铟锌靶胚在600～800℃的条件下烧结；步骤2：将两块或多块经步骤1处理得到的氧化铟锌靶胚并排放置，相邻两块氧化铟锌靶胚留有间隙；步骤3：向间...

本发明涉及ITO平面靶成型技术领域，公开了一种大尺寸平面靶冷等静压的方法，将靶坯、PE板交替堆叠并压紧，使靶坯两侧面均与PE板贴合，进行冷等静压加工；PE板的洛氏硬度为30～60。本发明通过对PE板的硬度进行选择，能够在冷等静压时，缓冲...

本发明属于钙钛矿太阳能电池材料领域，公开了一种高密度镍镁氧靶材及其制备方法。所述制备方法包括如下步骤：将NiO粉和MgO粉按照Mg的原子百分含量为0.1～10at％进行配料，将配好的粉末装入双运动混合机中均质混合处理，然后将混合均匀的粉...

本发明属于靶材退绑技术领域，公开了一种ITO旋转靶材的残靶批量退绑方法，包括如下步骤：步骤1：将多个带有背衬管的残靶圆筒放入退绑机中，然后将退绑机内部抽真空使退绑机内部形成真空氛围；步骤2：根据残靶圆筒长度开启相对应的区间加热，升温至2...

本发明属于半导体领域，具体涉及一种导电In2Se3靶材的制备方法，包括如下方法：步骤1：将Cu2Se粉末和In2Se3粉末混合，得到混合粉末；步骤2：将混合粉末进行模压，得到靶坯；步骤3：在真空炉中，于真空状态下升温至700～800℃，...

本发明涉及热电材料技术领域，提供了一种细晶粒P型碲铋合金晶棒及其制备方法，该制备方法采用变径加扭转挤压的热挤压的方法，细化晶粒、提高P型碲化铋基材料在(00l)方向上的取向结构，也提高了P型碲化铋基材料的力学性能和机械性能。

本发明属于半导体技术领域，公开了一种氧化锌铝靶材的制备方法，包括如下步骤：步骤1：将氧化铝粉末、第一分散剂、水混合制浆并研磨，得到第一浆料；步骤2：将第一浆料、氧化锌粉末、第二分散剂混合制浆并研磨，得到第二浆料；步骤3：采用第二浆料喷雾...

本发明属于靶材技术领域，公开了一种碲化锌旋转靶材的制备方法，包括如下步骤：步骤1：Te粉末、Zn粉末和ZnTe粉末混合均匀，得到混合料；步骤2：将混合料进行一烧得到一烧产物，一烧温度为380‑420℃，一烧时间10‑20min；步骤3：...

本发明属于合金靶材制备技术领域，公开了一种脆性合金靶材的浇铸方法、FeCuNbSiB合金靶材的制备方法和一种浇铸工具，该脆性合金靶材的浇铸方法在浇铸后，以模具的底面的中心为圆心，模具的轴线绕线转动且轴线和铅垂线的交点位于圆心；所述铅垂线...