本实用新型公开了一种发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成于所述透明导电层的表面上，在所...

本实用新型公开了一种导光结构，其可应用于激光器封装结构，所述导光结构包括透明导热块，所述透明导热块具有入射面、反射层和出射面，所述透明导热块之与所述出射面相对的一端部内凹形成反射面，用于对水平放置的发光元件出射的光进行光整形后变成垂直方...

本发明公开了半导体微元件的转移方法及转移装置，在基板上设置有键合层，键合层与半导体微元件相连接，连接的键合层部分具有柱状支撑结构，键合层柱状支撑结构的中间有用于吹气的通孔，通孔靠近半导体微元件的一端为电极或非电极区域，键合层材料为高聚物。

一种红外辐射LED发光元件，包括：支架结构；挡板结构，与支架结构之外围相连接；红外辐射LED芯片，设置于支架结构之上；封装胶，覆盖于红外辐射LED芯片之外围；透镜，形成于封装胶之上；所述透镜具有朝向封装胶的第一表面以及远离封装胶的第二表...

一种用于微元件转移的转置头，包括：基板本体；凸起结构，其从所述基板本体凸出；以及柔性粘附层，其覆盖于所述凸起结构的表面。本实用新型提供的转置头，其利用从基板本体凸出一凸起结构，并藉由覆盖于凸起结构上的柔性粘附层对微元件的吸附力进行转移，...

本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱的每一周期由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，穿透位错线连接V形坑。所述具有...

本发明提供一种氮化物半导体发光元件，包括：叠层体和电极，所述叠层体具有第一导电型半导体层、发光层以及与所述第一导电型半导体层的导电型不同的第二导电型半导体层，所述电极形成于所述第一导电型半导体层或/和第二导电型半导体层上，其特征在于：于...

本发明公开一种半导体元件的固晶方法及半导体元件，半导体元件的固晶方法提供了具有强于半导体元件电极材料对气态污染物或颗粒状污染物吸附力的保护组件，组件组成成分包括活性炭、多孔陶瓷或者有机基团，防止在固晶过程中电极被污染，从而提升固晶良率。

本发明公开了一种发光二极管及其制作方法，所述发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上，并在所述...

本发明公开了一种灯丝荧光条，灯丝灯及其制作方法，包括：灯泡壳，用于导电的灯头，置于灯头上的荧光条架，不可见紫外光源，置于荧光条架上的灯丝荧光条，所述灯丝荧光条的宽度≤100μm，其中制作灯丝荧光条的方法包括：激光刻图技术或高温烧结技术或...

本发明公开了一种发光装置及其制造方法，包括：提供一LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具...

本发明公开了一种发光二极管封装结构的制作方法，包括工艺步骤：提供一具有粘性表面的承载基板；在所述粘性表面上分布LED芯片，使得LED芯片发光面朝向粘性表面；在所述LED芯片的周围形成透明胶；采用柔性模具对透明胶进行压合成型，使得透明胶表...

本发明公开了一种紫外LED模组结构，包括一腔体，其具有第一表面，与第一表面相对的第二表面，以及介于第一表面与第二表面之间的侧表面，于所述第一表面设置选择性透过层，于所述第二表面设置不透光层，于所述侧表面设置透明层，若干个紫外LED芯片设...

本发明公开了一种LED封装工艺，包括：提供一LED芯片，并将该LED芯片与基板或支架固定，以及进行焊接工艺；其特征在于：所述LED芯片在进行焊接工艺前，劣化LED芯片与基板或支架之间的热传导性，使得热不易传导至芯片，从而保护芯片不受高温...

本实用新型公开了一种MOCVD反应腔，包括壳体及位于所述壳体内的加热器、载片器和喷射器，所述壳体、加热器、载片器和喷射器呈包裹设计，由内到外依次为喷射器、载片器、加热器和壳体，所述壳体连接有抽气管路用以排放反应气体；所述喷射器位于所述壳...

一种用于闪光灯的LED模块，包括承载基板、至少一个LED芯片模组、封装层，承载基板上设置LED芯片模组，LED芯片模组外包覆封装层，所述LED芯片模组由微型LED阵列组成，且实现发射全光谱的可见光功能。

本发明公开了一种具有测试电路的微元件的转移装置、转移方法、制造方法、装置和电子设备，其在转移过程中可对微元件进行测试，排除缺陷微元件。所述具有测试电路的微元件转移装置，包括：基底衬底，具有相对的两个表面；拾取头阵列，形成于所述基底衬底的...

本发明公开了一种LED显示组件及其制作方法，包括：在第一导电型的第一半导体层蚀刻出的若干组第一导电型的第二半导体层，有源层，应力控制层，应力作用层，第一隔离层，第二隔离层，第二导电型的第三半导体层，第一导电接触层，第二导电接触层，电极以...

一种紫外发光二极管封装结构，包括：支架、LED芯片以及封装罩体，其特征在于：所述支架上设有定位卡槽，所述封装罩体的边缘设有卡扣，所述卡扣与定位卡槽配合连接，并且封装罩体与支架形成容置腔，LED芯片设在支架上且LED芯片位于容置腔内。本实...

本发明公开了一种薄膜型发光二极管及其制作方法，其采用图形化衬底进行外延生长，然后进行芯片制程中在衬底剥离过程中，使衬底图形的尖端从其衬底主体上断裂并保留在外延层上，从而在发光外延叠层的出光面上形成蓝宝石微透镜。所述薄膜型发光二极管包括发...