发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体层之上，并与所述第二半导体层形成电性连接；所述第...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上；保护层，形成于所述透明导电层...

本发明提供一种白光LED封装结构，包括：基板，LED芯片以及波长转换材料层；其特征在于：至少两种波长的LED芯片，其中第一种LED芯片的峰值波长介于385~425nm之间，第二种芯片的峰值波长长于第一种LED芯片的峰值波长，所述波长转换...

本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中，该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；保护层，形成于所述发光外延层，设有一系列开口作为导电通道；第一电极，包括形成于所述保护层之上，并与所述第一...

本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中，该发光二极管包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；第一电极，包括形成于所述第一半导体层之上，并与所述第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于所述第二半导体...

本发明公开了一种紫外LED封装结构，包括：支架、腔体、LED芯片、填充材料层、粘结层以及透镜，所述腔体位于所述支架与透镜之间，所述LED芯片位于所述腔体内部，所述支架与透镜通过粘结层进行封装，其特征在于：所述粘结层为多层结构，且所述粘结...

本发明提供一种半导体元件，包括半导体叠层和电极，所述电极形成于所述半导体叠层上，所述电极表面上设有抗吸附材料层，其对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力低于所述电极对气态污染物或颗粒状污染物的吸附能力，用于抑制所述电极表面的污染物吸附。

一种紫外LED封装结构，包括：支架、腔体、LED芯片、填充材料层、粘结层以及透镜，所述腔体位于所述支架与透镜之间，所述LED芯片位于所述腔体内部，所述支架与透镜通过粘结层进行封装，其特征在于：所述透镜的球心于所述支架的上表面中心位置法线...

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第...

本发明公开了一种氮化物发光二极管磁电应力耦合的原位测试系统，包括：氮化物发光二极管、外加电流源、XRD测试组件和磁场发生装置，其特征在于：氮化物发光二极管侧壁形成磁性材料，在所述氮化物发光二极管的P型电极和N型电极两端通入电流，置于XR...

本发明提供一种微元件的封装方法，包括：1)于基底上形成封装材料层，并对封装材料层进行半固化处理；2)基于封装材料层的表面粘性，将微元件的阵列抓取于封装材料层表面；3)将微元件的阵列与封装基板上的共晶金属对准接合；4)对微元件的阵列与共晶...

本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括：N型氮化物半导体，V‑pits，多量子阱，至少具有一V‑pits开启层和/或至少具有一V‑pits调制层，以及P型氮化物半导体，其特征在于：所述V‑pits开启层和V‑pits调制层具有不同的...

本实用新型公开了一种发光二极管，包括：半导体层叠体，包含：第一导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层上的第二导电型半导体层、布置于所述第一导电型半导体层与所述第二导电型半导体层之间的发光层；第一电极和第二电极，所述第一电极与所述第...

本发明提供一种微元件的巨量转移方法，包括步骤：1)采用整面光敏材料抓取微元件；2)利用微元件作为光刻掩膜版，将光敏材料制作成梯形结构及支撑微柱；3)采用机械力压断支撑微柱，实现所述微元件的巨量转移。本发明采用整面的光敏材料抓取微元件，可...

本实用新型公开一种具有环形电极的发光二极管，包括：衬底，由下往上堆叠的第一型半导体层、发光层、第二型半导体层、第二电极、设置在第一型半导体层裸露表面上的第一电极以及形成于发光二极管表面除电极之外区域的第一绝缘保护层；其特征在于：所述第一...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，与第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层，其上表面设有第一电极区，其包含焊盘区和扩展区；透明导电层，形成于所述发光外延层的第一半导体层的表面之上，并在所述焊盘区形成第一开口，...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，与第一半导体层形成电性连接；第二电极，形成于...

本实用新型公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，由焊盘和扩展条构成，与第一半导体层形成电性连...