厦门市三安光电科技有限公司专利技术

厦门市三安光电科技有限公司共有461项专利

  • 一种半导体发光器件,包括基板以及基板上的多层结构,多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列,半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层;用于外部打线的第一电极,通过第一电连...
  • 本实用新型提供了一种防治水华的装置及体系,所述装置包括基板、防水保护罩、紫外线光源、驱动模块、散热器、控制模块、以及供电模块,其中所述驱动模块包括至少一种推进器,驱动所述装置在水体中、水面上或空气中移动,所述控制模块包括无线信号收发器、...
  • 本发明公开了一种发光装置及其制作方法,该发光装置可以工作在3A/mm
  • 一种显示装置的制造方法,包括步骤:提供N个LED芯片集合,N个LED芯片集合由N个晶圆切割而来,没有重新排列,其中第一个LED芯片集合产自第一个晶圆,第二个LED芯片集合产自第二个晶圆,……第N个LED芯片集合产自第N个晶圆,其中N为大...
  • 本发明涉及一种紫外LED封装结构,包括倒装结构的紫外LED芯片、具有至少两基板电极的封装基板和将紫外LED芯片覆盖的封装胶材,所述紫外LED芯片的正负芯片电极分别与两基板电极导通,且在正负芯片电极以及两基板电极之间具有绝缘间隙,所述绝缘...
  • 一种微发光组件,包含:基架,包括柱状结构(310);至少一个微发光二极管(100),微发光二极管(100)通过柱状结构(310)与基架连接,微发光二极管(100)由柱状结构(310)提供支撑;柱状结构(310)与微发光二极管(100)连...
  • 本发明提供一种半导体发光组件,包括:半导体叠层体和位于所述半导体叠层体之上的电极,所述电极含有:第一导电型电极、以及与所述第一导电型电极的导电型不同的第二导电型电极,所述第一导电型电极与第二导电型电极存在一定的间隙,定义该电极间隙的空间...
  • 本发明公开了一种发光二极管及制备方法,该发光二极管包括:衬底,具有相对的上、下表面;DBR反射层,形成于所述衬底的上表面之上;半导体叠层,形成于所述DBR反射层之上,发射具有的第一波长的光;所述DBR反射层对于第一光波的反射率为30%以...
  • 本实用新型提供一种发光二极管安装系统,包括:传送装置、发光二极管拾取单元、定位传感装置、控制系统;所述传送装置的传送载物件上安装有多个承载平台,所述承载平台上设置有至少一个能将预安装载体定位安装的定位安装结构;发光二极管拾取单元包括发光...
  • 本发明公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括:发光外延叠层,包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,具有对应的第一表面和第二表面;透光层,形成于所述发光外延叠层的第二表面上;第一金属层,形成于所述透光层之远离所述发光外延叠...
  • 一种发光二极管器件,至少包含发光二极管芯片、用于承载发光二极管芯片的封装基板;发光二极管芯片包含:半导体外延层,第一半导体外延层、第二半导体外延层和位于两者之间的发光层;一绝缘衬底,该衬底的两个表面相对设置有第一金属层和第二金属层;第一...
  • 一种紫外发光二极管封装结构及其制作方法,包括:提供支架、LED芯片以及封装罩体,该LED芯片设在支架上,于支架上设有凹槽结构及非凹槽区域,封装罩体选用含氟树脂,该含氟树脂覆盖LED芯片、支架的上表面以及凹槽结构。采用含氟树脂作为封装罩体...
  • 一种激光器封装结构及其导光结构(230),激光器的封装结构包括:基板(210);激光元件(220),固定在基板的上表面,可发射第一激光光束;导光结构,包括透明导热块和反射镜(232),对激光元件发出的水平方向光进行光整形后变成垂直方向的...
  • 本实用新型公开了一种高压发光二极管,包括:一衬底;以及设置于所述衬底上的若干个LED芯片单元,所述LED芯片单元包括若干个通过隔离槽区域分隔的子芯片,子芯片通过导电连线进行桥接,定义所述隔离槽区域分为:桥接位置所在的隔离槽区域,以及非桥...
  • 本发明提供一种半导体发光器件及其制备方法。半导体发光器件包括:衬底,具有衬底正面和衬底背面;形成在衬底正面上的堆叠外延层,堆叠外延层包括依次形成在衬底正面上的第一半导体层、有源层以及与第一半导体层的导电类型相反的第二半导体层,半导体发光...
  • 本发明涉及LED芯片技术领域,特别地涉及一种LED芯粒及LED芯片的隐形切割方法。本发明公开了一种LED芯粒,所述LED芯粒的衬底的侧面沿衬底的厚度方向具有多条间隔的激光划痕,所述激光划痕数量在3条以上,所述衬底的侧面沿衬底的厚度方向依...
  • 一种半导体发光元件,包括如下层叠顺序的多层结构:反射层、透明支撑衬底、透明键合层、第二透明欧姆接触层、绝缘层、第一透明欧姆接触层和发光半导体序列;发光半导体序列包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,若干个孔开启于第一半导体层侧并延伸穿...
  • 本发明提供一种发光二极管芯片结构及其制作方法,结构包括:衬底;发光外延结构,位于所述衬底上,包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层;电流扩展层,形成于所述外延结构的部分表面;绝缘层,包裹所述电流扩展层的侧壁,所...
  • 本实用新型提出了一种发光二极管结构,包括:由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层,其厚度为T,露出台面的第一半导体层,连接至第二半导体层的第二电极,以及绝缘保护层,其特征在于:于所述台面上形成有一凹凸沟槽结构...
  • 一种半导体发光器件,包括基板以及基板上的多层结构,多层结构从基板侧开始依次包括第二电连接层、绝缘层、第一电连接层、半导体发光序列,半导体发光序列包括第一导电类型半导体层、发光层和第二导电类型半导体层;用于外部打线的第一电极,通过第一电连...