专利查询
首页
专利评估
登录
注册
厦门市三安光电科技有限公司专利技术
厦门市三安光电科技有限公司共有461项专利
发光二极管制造技术
本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中,发光二极管包括上部和下部,其中所述上部为半导体叠层,从上至下依次包含第一半导体层、有源层和第二半导体层,所述下部依次包含绝缘材料层、粘合层和基板,其特征在于:所述下部具有一超出所述上部边缘...
一种紫外杀菌杯结构制造技术
本实用新型公开了一种紫外杀菌杯结构,包括杯体、杯盖以及杯盖与杯体的链接结构;其特征在于:于所述杯盖内部设有紫外线光源模块,于所述杯盖与杯体的链接结构上方露出杯口,于所述杯盖内侧设有反射结构或散射结构或导光结构。本实用新型藉由对杯口位置进...
一种紫外杀菌杯结构制造技术
本实用新型公开了一种紫外杀菌杯结构,包括杯体、杯盖以及杯盖与杯体的链接结构;其特征在于:于所述杯盖内部设有紫外线光源模块,于所述杯盖与杯体的链接结构上方露出杯口,于所述杯盖内侧设有反射结构或散射结构或导光结构。本实用新型藉由对杯口位置进...
微型发光二极管及其制作方法技术
公开了一种微型发光二极管、显示装置及其制作方法,其至少在一个电极上设置连接区用于金属联线,达到Micro‑LED全测目的。微型发光二极管芯片(100)包括:外延叠层(110),依次包含第一类型半导体层(112)、有源层(113)、第二类...
一种发光二极管元件及其制作方法技术
本发明公开了一种发光二极管元件及其制作方法,主要用高压、大电流密度的工作条件,其第一电极和第二电极朝向正侧,第一导电层背侧与基板正侧连接,第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一半导体层面积的1.5%,从凹处延伸的绝缘层覆...
一种半导体发光器件及其制备方法技术
本发明提供一种半导体发光器件制备方法包括:提供衬底,在所述衬底上形成多个发光结构,所述发光结构之间包括切割区域;在所述发光结构上方及所述发光结构以外的所述衬底上形成绝缘保护层;在所述绝缘保护层上方形成金属牺牲层,所述牺牲层形成在所述发光...
发光二极管及其制作方法技术
本发明公开了一种发光二极管及其制作方法,在一些实施例中,所述发光二极管,包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层,其上表面设有第一电极区,其包含焊盘区和扩展区;绝缘层,形成于所述第一半导体层的扩展区之上;透明...
一种白光LED封装结构以及白光源系统技术方案
一种白光LED封装结构以及白光源系统,包括:基板(100),LED芯片(200)以及波长转换材料层(300);LED芯片的发光峰值波长介于400~425nm,波长转换材料层的发光峰值波长介于440~700nm,波长转换材料层吸收由LED...
一种发光二极管芯片及其制作方法技术
本发明公开了一种发光二极管芯片,其第一电极和第二电极朝向正侧,第一导电层背侧与基板正侧直接连接,第一导电层正侧与第一类型半导体层的背侧接触面积大于第一类型半导体层面积的1.5%,第一导电层至少裸露出正侧一部分用于设置第一电极,第二导电层...
一种紫外发光二极管封装结构制造技术
一种紫外发光二极管封装结构,包括:支架、LED芯片以及封装罩体,所述LED芯片设在所述支架上,于所述支架上设有凹槽结构及非凹槽区域,所述封装罩体选用含氟树脂,所述含氟树脂覆盖所述LED芯片、所述支架的上表面以及所述凹槽结构,所述凹槽结构...
一种加速陈化酒液的装置制造方法及图纸
本实用新型提供一种加速陈化酒液的装置,包括:储酒装置、透紫外射线防水保护罩、紫外线光源,其特征在于:所述紫外线光源用于对酒液进行充分照射来达到加速酒液陈化的目的。本实用新型可在短时间内实现酒液的陈化,适合大规模生产需求,从而有效的降低生...
一种发光二极管结构制造技术
本发明提出了一种发光二极管结构,包括:由第一半导体层、第二半导体层及夹在两层之间的活性层构成的发光外延层,其厚度为T,露出台面的第一半导体层,连接至第二半导体层的第二电极,以及绝缘保护层,其特征在于:于所述台面上形成有一突起结构,其宽度...
一种发光二极管制造技术
本实用新型公开了一种发光二极管,包括半导体层序列,其具有在第一导电类型的层和第二导电类型的层之间的、设计用于产生第一峰值波长的第一光的有源层,第一导电类型的层位于半导体层序列的正方向一侧,第二导电类型的层部分裸露,设置在半导体层序列的正...
一种发光二极管制造技术
本实用新型提出一种发光二极管,包括:发光外延叠层;电流扩展层,位于所述发光外延叠层之上;其特征在于:所述电流扩展层的侧壁与所述电流扩展层的底面的夹角大于90°且小于180°,且所述电流扩展层的侧壁具有图案化结构。
一种氮化物半导体发光二极管制造技术
本发明公开一种氮化物半导体发光二极管,包括:N型氮化物半导体,多量子阱和P型氮化物半导体,所述多量子阱具有V型坑,所述多量子阱与P型氮化物半导体之间至少具有一分布式布拉格反射层,或多量子阱的V型坑上方至少具有一分布式布拉格反射层。
一种紫外杀菌杯结构制造技术
本发明公开了一种紫外杀菌杯结构,包括杯体、杯盖以及杯盖与杯体的链接结构;其特征在于:于所述杯盖内部设有紫外线光源模块,于所述杯盖与杯体的链接结构上方露出杯口,于所述杯盖内侧设有反射结构或散射结构或导光结构。本发明藉由对杯口位置进行的特殊...
发光二极管制造技术
本实用新型提供一种发光二极管,所述发光二极管包括:发光外延结构;电极焊盘,形成于所述发光外延结构上且与所述发光外延结构电性连接;以及柔性材料侧壁保护层,包覆于所述电极焊盘的侧壁。本实用新型通过在电极焊盘侧壁设置柔性材料侧壁保护层,在焊球...
一种发光二极管芯片结构制造技术
本实用新型提供一种发光二极管芯片结构,包括:一发光外延结构,包括依次层叠的第一导电型半导体层、量子阱层以及第二导电型半导体层;局部缺陷区,位于部分所述第二导电型半导体层上,且向下延伸至所述第一导电型半导体层形成台面结构,所述台面结构露出...
一种红外辐射LED发光元件制造技术
一种红外辐射LED发光元件,包括:支架结构;挡板结构,与支架结构之外围相连接;红外辐射LED芯片,设置于支架结构之上;封装胶,覆盖于红外辐射LED芯片之外围;透镜,形成于封装胶之上;所述挡板结构的内、外表面包括吸收面或不反射面,或者是所...
发光二极管制造技术
本实用新型公开了一种发光二极管。在一些实施例中,该发光二极管,包括:发光外延层,自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层;第一电极,形成于所述第一半导体层之上;第二电极,形成于所述第二半导体层之上;其特征在于:所述第一电极、第...
首页
<<
2
3
4
5
6
7
8
>>
尾页
科研机构数量排行前10
华为技术有限公司
109630
珠海格力电器股份有限公司
85484
中国石油化工股份有限公司
69848
浙江大学
66603
中兴通讯股份有限公司
62051
三星电子株式会社
60378
国家电网公司
59735
清华大学
47379
腾讯科技深圳有限公司
45041
华南理工大学
44159
最新更新发明人
马鞍山晶宇能源科技股份有限公司
10
龙口港集团有限公司
97
海南省中医院
34
江苏安全技术职业学院
812
惠州合智华新材料有限公司
43
江苏爱姆欧光电材料有限公司
43
广州正卓印刷有限公司
19
云南万耀通信技术服务有限公司
3
深圳市磐锋精密技术有限公司
182
江西江铜华东铜箔有限公司
10