发光二极管制造技术

本实用新型专利技术公开了一种发光二极管，其包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层的第一通孔，所述扩展条通过所述第一通孔与所述透明导电层连接；第二电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层、透明导电层、第一半导体层、发光层的第二通孔，所述扩展条通过第二通孔与所述第二半导体层连接；连续的三个所述第一通孔中至少有一个通孔到最接近的第二通孔的距离不超过所述第一电极的扩展条与所述第二电极的扩展条之间的距离。

【技术实现步骤摘要】
发光二极管
本技术涉及半导体元件，尤其是涉及一种发光二极管。
技术介绍
由于发光二极管具有寿命长、体积小、高耐震性、发热度小以及耗电量低等优点，发光二极管已被广泛地应用于家电产品以及各式仪器之指示灯或光源。早期的氮化镓LED芯片制作工艺通常由台面蚀刻(MESA)、制作透明导电层（例如ITO）、制作电极和制作保护层四道工艺组成，其形成的发光二极管芯片如图1所示，其一般包括衬底101、N型层111、发光层112、P型层113、透明导电层120、P电极141(焊盘143和扩展条144)、N电极142和保护层130。在氮化镓LED中，p-GaN由于其载流子迁移率较低，通常会在PAD底部造成一定的电流拥堵。因此，现在通常会在P型电极的底部增加电流阻挡层150，用于抑制电流的过注入，增加透明导电层的电流扩散，如图2所示。该芯片制作工艺通常至少包括台面蚀刻(MESA)、制作电流阻挡层、制作电流扩展层（例如ITO）、制作电极和制作保护层五道工艺。
技术实现思路
本技术提供了一种发光二极管，其在形成透明导电层后先制作保护层，最后再制作电极，该保护层可同时作为电流阻挡层，一方面可以减少工艺，另一方面可以有效提升本文档来自技高网...

【技术保护点】
发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层的第一通孔，所述扩展条通过所述第一通孔与所述透明导电层连接；第二电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层、透明导电层、第一半导体层、发光层的第二通孔，所述扩展条通过第二通孔与所述第二半导体层连接；连续的三个所述第一通孔中至少有一个通孔到最接近的第二通孔的距离不超过所述第一电极的扩展条与所述第二电...

【技术特征摘要】
1.发光二极管，包括：发光外延层，自上而下依次包括第一半导体层、发光层和第二半导体层；透明导电层，形成于所述第一半导体层的表面之上；保护层，形成在所述透明导电层上；第一电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层的第一通孔，所述扩展条通过所述第一通孔与所述透明导电层连接；第二电极，由焊盘和扩展条构成，其中所述扩展条形成在所述保护层上，其下方设有一系列贯穿所述保护层、透明导电层、第一半导体层、发光层的第二通孔，所述扩展条通过第二通孔与所述第二半导体层连接；连续的三个所述第一通孔中至少有一个通孔到最接近的第二通孔的距离不超过所述第一电极的扩展条与所述第二电极的扩展条之间的距离。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：所述第一电极的扩展条与所述第二电极的扩展条平行。3.根据权利要求2所述的发光二极管，其特征在于：连续的三个所述第一...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄禹杰，夏章艮，陈大钟，林素慧，洪灵愿，许圣贤，彭康伟，张家宏，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：新型
国别省市：福建,35