一种发光装置及其制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术公开了一种发光装置及其制造方法，包括：提供一LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；透明材料层，完全包覆所述LED芯片除电极之外的多个侧面，且不露出多个所述角部；反光材料层，包围所述透明材料层外围，所述LED芯片侧面具有粗糙结构，用以增大芯片侧面与所述透明材料层的接触面积，从而增强芯片对透明材料的亲和性，提高透明材料在芯片侧面的润湿性能，进而使得透明材料层能够完全覆盖芯片侧表面。

A light emitting device and its manufacturing method

The invention discloses a light emitting device and its manufacturing method, including providing a LED chip having a first surface, opposite to the first side, second side between the first surface and the second surface and has a plurality of side surfaces, corner two surfaces of a plurality of the second sides and the plurality of side surface connected, having a pair of electrodes on the second side, the side has a rough structure; a layer of transparent material, completely covering the LED chip side electrode except outside, and do not expose more of the corner; the reflective material layer, surrounded by the penetration the periphery of the material layer, LED chip side has a rough structure, used to increase the contact area of the chip side and the transparent material layer, thereby enhancing the chip of the transparent material compatibility, improve the wetting properties of transparent material on the chip side, and then make the The transparent material layer can fully cover the side surface of the chip.

【技术实现步骤摘要】
一种发光装置及其制造方法
本专利技术涉及半导体
，特别涉及一种发光装置及其制造方法。
技术介绍
传统的单面发光芯片级封装器件（英文为ChipScalePackage，缩写为CSP），由于具有较好的光型，可以满足薄型化的需求，如图1所示，但是由于LED芯片侧面出光受到反光材料层的遮挡，导致这种单面发光CSP的光通量较低，中国专利CN106129231A公开了：采用具有倒椎体形状的透明材料层包覆LED芯片侧面，将LED芯片侧面的光反射到正面，从而提高了封装器件的光通量。但是，现有制造方法无法确保透明材料层对LED芯片侧面的包覆程度，导致透明材料层对芯片侧面的包覆不完整，使得反光材料层仅能包覆LED芯片的部分侧面，从而影响了封装器件的正面出光效率，如图2和图3所示。此外，由于现有制造方法使得封装器件对LED芯片侧面出光的利用率不一，同一批次的产品存在亮度分布不均匀且较为发散，严重制约了这种高光通量单面发光CSP的制造良率。
技术实现思路
为了克服现有技术的不足，本专利技术提供的技术方案，包括：根据本专利技术的第一方面，一种发光装置，包括：LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光装置，包括：LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；透明材料层，完全包覆所述LED芯片除电极之外的多个侧面，且不露出多个所述角部；反光材料层，包围所述透明材料层外围；定义所述透明材料层的粘滞系数为A，粘滞系数的范围为W（A），透明材料层的厚度为（B）、芯片的厚度为（C）、芯片侧面粗糙结构的粗糙度为（D），要使得透明材料层能够完全包覆LED芯片的侧面，则粘滞系数范围W（A）与透明材料层的厚度（B）、芯片的厚度（C）、芯片侧面粗糙结构...

【技术特征摘要】
1.一种发光装置，包括：LED芯片，具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；透明材料层，完全包覆所述LED芯片除电极之外的多个侧面，且不露出多个所述角部；反光材料层，包围所述透明材料层外围；定义所述透明材料层的粘滞系数为A，粘滞系数的范围为W（A），透明材料层的厚度为（B）、芯片的厚度为（C）、芯片侧面粗糙结构的粗糙度为（D），要使得透明材料层能够完全包覆LED芯片的侧面，则粘滞系数范围W（A）与透明材料层的厚度（B）、芯片的厚度（C）、芯片侧面粗糙结构的粗糙度（D）满足关系式：W(A)∝B*D/C。2.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构的粗糙度为0.01μm~2μm。3.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构呈周期性或非周期性。4.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述粗糙结构通过隐形激光切割或者表面改性工艺获得。5.根据权利要求1所述的一种发光装置，其特征在于：所述LED芯片侧面具粗糙结构，用以增大完全覆盖所述芯片侧表面的透明材料层的粘滞系数的范围选择。6.一种发光装置的制造方法，包括：提供一波长转换材料层以及若干个LED芯片，其中所述LED芯片具有第一面、与所述第一面相对的第二面、在所述第一面与所述第二面之间的多个侧面，并且具有多个所述第二面和所述多个侧面中的两个面相接的角部，在所述第二面侧具有一对电极，所述侧面具有粗糙结构；将若干个LED芯片与所述波长转换材料层贴合，所述LED芯片的电极远离波长转换材料层；在所述波长转换材料层之上制作透明材料层并进行固化，完全包覆所述LED芯片除电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄森鹏，林振端，黄永特，时军朋，陈顺意，赵志伟，徐宸科，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35