一种光利用率高的灯具及发光二极管制造技术
【技术实现步骤摘要】
一种光利用率高的灯具及发光二极管
本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的光利用率高的灯具。
技术介绍
传统的发光二极管包括衬底，衬底上依次沉积有n型半导体层、发光层以及p型半导体层，其中发光层、p型半导体层设有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内沉积有n型电极，p型半导体层外沉积有p型电极，当发光二极管处于发光状态时，在p型半导体层和n型半导体层上分别施加正负电压，这样存在于P型半导体层中的空穴和n型半导体内的电子在发光层复合并产生光子，光子投射到外界。然而现有的发光二极管的光取出效率较低，即光子投射到外界的几率不高；主要原因是：发光层中形成的光子在经历半导体层进入空气时，由于半导体层的折射率较大，导致部分光子发生全反射，再次进入到半导体内部，光子发生衰减，甚至以热的形式耗散。这对发光二极管的应用非常不利。
技术实现思路
本专利技术的目的在于解决现有技术中发光二极管的光子在投射过程中，容易发生全反射的问题，提供一种发光二极管，该发光二极管的光利用率高。本专利技术的另一目的在于，提供一种光利用率高的灯具。本专利技...
【技术保护点】
一种发光二极管，包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；其特征在于：所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内设有与n型半导体层连接的n型电极层，p型半导体层的上端面连接有p型电极层；p型半导体层的上端面设有多个用于辅助光线射出的凸起，所述凸起呈等腰直角三角形；所述蚀刻孔设置在p型半导体层和发光层的中部，p型电极层呈环形设置在p型半导体层的上方。
【技术特征摘要】
1.一种发光二极管，包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；其特征在于：所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内设有与n型半导体层连接的n型电极层，p型半导体层的上端面连接有p型电极层；p型半导体层的上端面设有多个用于辅助光线射出的凸起，所述凸起呈等腰直角三角形；所述蚀刻孔设置在p型半导体层和发光层的中部，p型电极层呈环形设置在p型半导体层的上方。2.根据权利要求1所述的发光二极管，其特征在于：蚀刻孔设有环状的n型绝缘透明层，n型绝缘透明层覆盖发光层、p型半导体层的侧面；n型电极层与n型半导体层之间设有n型金属层。3.一种光利用率高的灯具，其特征在于：包括：光源；光源包括PCB板，PCB板设有至少一个权利要求1至2任一所述的发光二极管；底座，其中部设有用于安装光源的灯座；用于盛装透明介质且透明的容器，容器的上端开口，容器的下端呈环形设置且中部形成有用于容置光源的容置空间；且容器的内侧壁为能够根据内部压强调整伸缩的柔性壁；容器放置于底座；盖体，与容器的上端密封连接，且盖体可相对容器上下移动。4.根据权利要求3所述的一种光利用率高的灯具，其特征在于：盖体设有气阀。5.根据权利要求4所述的一种光利用率高的灯具，其特征在于：所述盖体的内底面向容器方向延伸出内筒，内筒套于容器外部或内部；且内筒与容器的接触面设有密封胶圈；盖体的下端与容器螺纹连接。6.根据权利要求4所述的一种光利用率高的灯具，其特征在于：PCB板设有用于控制灯具工作的恒流电路，其包括：整流电路，用于将市电转为直流电；PFC电路；PFC电路与整流电路的输出端信号连接；负载输出电路；电源电路；变压器T1；PFC电路通过变压器T1分别与负载输出电路、电源电路耦合；电源电路连接有光耦N3的发光器，光耦N3的受光器设置于PFC电路中，电源电路通过光耦N3向PFC电路输出反馈信号；还包括：线性恒流调节电路和电压控制电路，所述线性恒流调节电路设有功率调节管Q6，功率调节管Q6的输入端与负载输出电路连接，功率调节管Q6的输出端通过电阻R54接地；电压控制电路设有两个参考输入端，其中一个参考输入端与2.5V电源信号连接，...
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