本实用新型公开了一种计算机控制面板连接结构，包括主体，主体的顶部卡接有控制面板本体，控制面板本体的底部对称固定连接有两个定位柱，带动主体的内部对称固定连接有两个定位座，定位柱与定位座滑动连接，主体的内部对称固定连接有两个支撑座，支撑座的...

本发明涉及机械锁技术领域，尤其涉及一种USB锁。其包括：连接块，用于与USB接口连接，并伴随USB接口移动；锁装置，用于控制连接块的工作状态，其设有用于控制连接块移动范围的控制件；当锁装置处于上锁状态，控制件位于上锁位置，控制件被限位，...

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种发光二极管的集成封装结构以及灯具。一种发光二极管的集成封装结构，包括矩形的基板，基板的中部向下凹陷形成封胶槽，封胶槽的上方设有胶层，封胶槽的底面设有电路板，封胶槽内设有多个用于固定LED芯片的固...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的灯具。发光二极管包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀...

本发明涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的光利用率高的灯具。发光二极管包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内设有与...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种可提高光利用率的发光二极管的芯片结构，以及利用该发光二极管制作的灯具。芯片结构包括衬底，衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层，所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露，形成外漏部；n...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的灯具。发光二极管包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀...

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种散热性能良好的发光二极管封装结构以及灯具。一种散热性能良好的发光二极管封装结构，包括长方形的基板，基板上设有封装胶，基板的中部设有多个用于安装LED芯片的安装位，且相邻的安装位的高度不同；安装位...

本发明涉及一种伸缩笔。其包括：笔筒和笔芯，笔筒设有通孔，笔芯设有卡凸，笔筒内设有内套环，内套环套于笔芯外且前端与卡凸抵接；笔芯外还套接有弹簧，弹簧与卡凸相抵，弹簧的前端与笔筒相抵；内套环向后延伸出同轴的限位环，限位环的外径小于内套环的外...

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种发光二极管的优化封装结构以及灯具。一种发光二极管的优化封装结构，包括矩形的基板，基板的中部向下凹陷形成封胶槽，封胶槽的上方设有胶层，封胶槽的底面设有电路板，封胶槽内设有多个用于固定LED芯片的固...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管的芯片结构，以及光利用率高的灯具灯具。芯片结构包括衬底，衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层，所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露，形成外漏部；n型半导体...

本发明涉及半导体技术领域，尤其涉及一种提高光利用率的发光二极管的芯片结构，以及利用该发光二极管制作的灯具。芯片结构包括衬底，衬底上方依次沉积有n型半导体层和发光层，所述发光层的中部蚀刻有环形槽并使得n型半导体的部分外露，形成外漏部；n型...

本发明涉及半导体封装技术领域，尤其涉及一种可提高散热性的发光二极管封装结构以及灯具。一种可提高散热性的发光二极管封装结构，包括长方形的基板，基板上设有封装胶，基板的中部设有多个用于安装LED芯片的安装位，且相邻的安装位的高度不同；还包括...