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本发明涉及一种提高光利用率的发光二极管，以及利用该发光二极管制作的光利用率高的灯具。发光二极管包括衬底，衬底的上端面依次设有n型半导体层、发光层以及p型半导体层；所述p型半导体层和发光层蚀刻有用于n型半导体层外露的蚀刻孔，蚀刻孔内设有与n型...
该专利属于蒋雪娇所有，仅供学习研究参考，未经过蒋雪娇授权不得商用。

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