生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片制造技术

本实用新型专利技术公开了生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱、p型掺杂氮化镓层。本实用新型专利技术的LED外延片缺陷密度低、结晶质量好，电学、光学性能好。

【技术实现步骤摘要】
生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片
本技术涉及LED外延片，特别涉及生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片。
技术介绍
发光二极管(LED)作为一种新型的固态照明光源和绿色光源，具有节能、环保、体积小、用途广泛和使用寿命长等突出特点，在室外照明、商业照明以及军事照明等领域都具有广泛的应用。当前，在全球气候变暖问题日趋严峻的背景下，节约能源、减少温室气体排放成为全世界面临的重要问题。以低能耗、低污染、低排放为基础的低碳经济，是经济发展的重要方向。在照明领域，LED作为一种新型的绿色固态照明产品，是未来发展的趋势。但是现阶段LED要向高效节能环保的方向发展，其发光效率仍有待于进一步提高。氮化镓及III-族氮化物由于宽禁带、稳定的物理化学性质、高的热导率和高的电子饱和速度等优点，广泛应用于发光二极管(LED)、激光器和光电子器件等方面。与其他宽禁带半导体材料相比，氮化镓材料除具有上述优点外，其纳米级的材料在量子效应、界面效应、体积效应、尺寸效应等方面还表现出更多新颖的特性。氮化镓纳米材料因“尺寸效应”产生了一系列新颖特性，使得它在基本物理科学和新型技术应用方面有着巨大的前景，已成为本文档来自技高网...

【技术保护点】
生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱和p型掺杂氮化镓层。

【技术特征摘要】
1.生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，包括多根生长在硅衬底上的纳米柱；每根纳米柱由下至上依次包括非掺杂含铟氮化镓纳米柱、n型掺杂氮化镓层、铟镓氮/氮化镓多量子阱和p型掺杂氮化镓层。2.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米柱LED外延片，其特征在于，所述非掺杂含铟氮化镓纳米柱的高度为300～900nm，直径为30～100nm。3.根据权利要求1所述的生长在硅衬底上的氮化镓纳米...

【专利技术属性】
技术研发人员：李国强，韩晶磊，温雷，高芳亮，
申请(专利权)人：华南理工大学，
类型：新型
国别省市：广东,44