The invention provides a light emitting element, which comprises a base plate, a photoelectric structure, a first rough structure and a second rough structure. A first side surface and a second side surface of the substrate opposite to each other with an upper surface and a lower surface and adjacent, photoelectric structure is arranged on the upper surface of the substrate, the first rough structure is formed on the first side surface of the substrate, the first rough structure has a first upper edge and a lower edge of the first, second rough structure formed in second side surfaces of the base plate, with the rough structure of the upper edge of second second and a second lower edge, wherein the first upper edge and the second edge in different levels and / or the lower edge of the first and second lower edge position in different level, which can effectively improve the overall light emitting element light efficiency.
【技术实现步骤摘要】
发光元件相关分案申请本申请案是专利技术名称为“发光元件”,申请号为201210574681.3的专利技术专利申请案的分案申请,原申请案的申请日是2012年12日26日。
本专利技术是有关于一种发光元件,且特别是有关于一种可增加出光效率(light-emittingefficiency)的发光元件。
技术介绍
一般而言,在制作发光二极管晶圆时,通常是先提供一基板,利用磊晶成长方式,在基板上形成一磊晶结构,接着在磊晶结构上配置电极以提供电能,便可利用光电效应而发光。之后,利用微影蚀刻技术在磊晶结构中形成多个纵横交错的切割道。其中,每相邻的二纵向的切割道与相邻的二横向的切割道共同定义出一发光二极管晶粒。之后,进行后段的研磨与切割制程,将发光二极管晶圆分成许多的发光二极管晶粒,进而完成发光二极管的制作。由于利用现有的切割技术所获得的发光二极管的侧壁为平面状,加上发光二极管的材料与空气的折射率差异,因此从发光二极管所发出的光只有少数可从其侧面出射,大部分的光会在发光二极管侧面处产生全反射,而无法进一步利用由侧面出射的光,影响发光二极管的侧面的出光效率,进而降低发光二极管的发光亮度。因此,如何改善发光二极管侧面出光量来提升整体的出光效率便成为了目前亟需解决的问题之一。
技术实现思路
本专利技术提供一种发光元件,具有形成在基板的环状侧表面上的粗糙结构,可有效提升整体的出光效率。本专利技术提供一种发光元件,其包括一基板、一光电结构以及一粗糙结构。基板具有彼此相对的一上表面与一下表面以及一连接上表面与下表面的环状侧表面,光电结构配置在基板的上表面上,粗糙结构形成在基板的环状侧表 ...
【技术保护点】
一种发光元件,其特征在于,包括:一基板,具有彼此相对的一上表面与一下表面以及相邻的一第一侧表面与一第二侧表面;一光电结构,配置在该基板的该上表面上;以及一第一粗糙结构,形成在该基板的该第一侧表面上,该第一粗糙结构具有一第一上缘及一第一下缘;以及一第二粗糙结构,形成在该基板的该第二侧表面上,该第二粗糙结构具有一第二上缘及一第二下缘,其中该第一上缘与该第二上缘位在不同水平和/或该第一下缘与该第二下缘位在不同水平。
【技术特征摘要】
1.一种发光元件,其特征在于,包括:一基板,具有彼此相对的一上表面与一下表面以及相邻的一第一侧表面与一第二侧表面;一光电结构,配置在该基板的该上表面上;以及一第一粗糙结构,形成在该基板的该第一侧表面上,该第一粗糙结构具有一第一上缘及一第一下缘;以及一第二粗糙结构,形成在该基板的该第二侧表面上,该第二粗糙结构具有一第二上缘及一第二下缘,其中该第一上缘与该第二上缘位在不同水平和/或该第一下缘与该第二下缘位在不同水平。2.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,该第一粗糙结构与该第二粗糙结构的厚度皆大于等于10微米且小于等于50微米。3.根据权利要求1所述的发光元件,其特征在于,该第一上缘与该第二上缘至该基板的该上表面的距离大于等于10微米且小于等于150微米。4.一种发光元件,其特征在于,包括:一基板,具有彼此相对的一上表面与一下表面以及相邻的一第一侧表面与一第二侧表面;一光电结构,配置在该基板的该上表面上;以及一第一粗糙结构,形成在该基板的该第一侧表面上;以及一第二粗糙结构,形成在该基板的该第二侧表面上,其中该第一粗糙结构与该第二粗糙结构不连续,且该第一粗糙结构与该第二粗糙结构通过同一水平线。5.一种发光元件,其特征在于,包括:一基板,具有彼此相对的一上表面与一下表面以及相交的一第一侧表面与一第二侧表面;一光电结构,配置在该基板的该上表面上;以及一第一粗...
【专利技术属性】
技术研发人员:黄逸儒,黄靖恩,吴志凌,罗玉云,
申请(专利权)人:新世纪光电股份有限公司,
类型:发明
国别省市:中国台湾,71
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