一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法技术

一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法，属于光电子技术领域，在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层，在部分粗化层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置正电极；特点是述粗化层设置有若干沟槽，在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面。本发明专利技术通过在粗化层设置沟槽，并在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面，大大提高了粗化层的粗化面积，使外量子效应得以大幅提高，而且粗化层蚀刻出的沟槽不影响电流的横向扩展，故而实现了提高光提取率的目的。

Vertical structure AlGaInP base LED and manufacturing method thereof

A vertical structure of AlGaInP based light emitting diode and its manufacturing method, which belongs to the technical field of the photoelectron in the front face of the substrate are arranged DBR layer, N layer, P layer, limit active confinement layer, current spreading layer, an armoring layer, in thick layer arranged on the ohmic contact layer, the positive electrode ohmic contact layer on the set the characteristic is; the coarse layer is provided with a plurality of grooves are respectively arranged on the roughened surface and side surfaces of the bottom of the trench. By setting the trench in the thick layer, the surface are respectively arranged in the groove and the bottom surface and the side surface roughening, greatly improving the coarsening area of thick layer, the external quantum effect can be greatly improved, and the lateral extension of the etched trench armoring layer does not affect the current, therefore improve the light the extraction rate of purpose.

【技术实现步骤摘要】
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法
本专利技术属于光电子
，特别涉及AlGaInP四元系发光二极管的制造

技术介绍
四元系AlGaInP是一种具有直接宽带隙的半导体材料，已广泛应用于多种光电子器件的制备。由于材料发光波段可以覆盖可见光的红光到黄绿波段，由此制成的可见光高亮度发光二极管受到广泛关注。四元系AlGaInP红光高亮度发光二极管已大量用于户外显示、交通灯、汽车灯等许多方面。由于GaAs衬底晶格匹配的AlGaInP基材料LED具有节能、寿命长、体积小、低电压和环保等优点，所以它将引发照明产业的革命。通过调整Al、Ga的浓度比，禁带宽度可以被调节至1.9～2.3eV之间变化，另一方面，AlGaInP基的发光二极管的波长范围几乎覆盖了550～650nm的范围，因此可以被用于红、橙和黄绿的发光二极管的制造。由于AlGaInP基材料的折射率与空气的折射率相差很大，出光角度很小，同时又大于用于封装的材料如环氧树脂、硅胶（n≈1.5），因此根据光的全反射定律可知，绝大部分光被全反射回LED器件内部，这使得AlGaInP基LED的出光效率很低。采用粗化技术，通本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，包括设置在衬底背面的背电极，在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层，在部分粗化层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置正电极；其特征在于：所述粗化层设置有若干沟槽，在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面。

【技术特征摘要】
1.一种垂直结构AlGaInP基发光二极管，包括设置在衬底背面的背电极，在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层，在部分粗化层上设置欧姆接触层，在欧姆接触层上设置正电极；其特征在于：所述粗化层设置有若干沟槽，在沟槽的底面和侧面分别设置粗化的表面。2.根据权利要求1所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述沟槽具有n个分层结构，n≥1，且沟槽的分层结构呈现台阶形貌。3.根据权利要求1或2所述垂直结构AlGaInP基发光二极管，其特征在于：所述沟槽以正电极为中心呈环绕分布。4.如权利要求1所述垂直结构AlGaInP基发光二极管的制造方法，包括以下步骤：1）在衬底的同一侧依次外延生长形成DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层、欧姆接触层，取得外延片；2）以外延片进行清洗、制干后，在外延片的欧姆接触层表面生长形SiO2材料层；3）在SiO2材料层上通过涂胶、光刻、显影制作出光刻胶图形；4）将外延片经过BOE蚀刻，...

【专利技术属性】
技术研发人员：李波，杨凯，徐洲，张双翔，石峰，
申请(专利权)人：扬州乾照光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32