光电元件与其制造方法技术
Photoelectric element and manufacturing method thereof
The invention discloses a photoelectric component and a manufacturing method thereof. The photoelectric element has a photoelectric cell, a photoelectric unit has a first surface, and the first on the surface opposite to the first surface and between the first surface and the first surface side; a first transparent cover structure, photoelectric unit and the side of the first exposure on the surface; a first insulating layer is located above the first. On the surface of the first transparent structure; a second insulating layer is located on the first insulating layer; a first opening through the first and second insulating layer; and a first conductive layer is located on the second insulating layer, and via the first opening unit is electrically connected with the photoelectric.
【技术实现步骤摘要】
光电元件与其制造方法本专利技术是中国专利技术专利申请(申请号：201210150962.6，申请日：2012年5月15日，专利技术名称：光电元件与其制造方法)的分案申请。
本专利技术涉及一种光电元件，特别是涉及一种具有导电结构的光电元件。
技术介绍
光电元件目前已经广泛地使用在光学显示装置、交通号志、数据存储装置、通讯装置、照明装置与医疗器材上，例如发光二极管(Light-emittingDiode；LED)。与商业电子产品走向轻薄短小的趋势类似，光电元件的发展也进入微封装的时代，半导体与光电元件最佳的封装设计是管芯级封装。此外，上述的LED还可以进一步地进行微封装以形成管芯级的LED封装，并与其他元件组合连接以形成一发光装置。图15为现有的发光装置结构示意图，如图15所示，一发光装置150包含一具有至少一电路154的次载体(sub-mount)152；至少一焊料156(solder)位于上述次载体152上，通过此焊料156将上述LED151粘结固定于次载体152上并使LED151的基板153与次载体152上的电路154形成电连接；以及，一电连接结构158，以电连...
【技术保护点】
一种光电元件，包含︰光电单元，具有第一金属层、第二金属层以及最外侧面；绝缘层，直接覆盖该第一金属层的上表面及该第二金属层的上表面，并具有第一部分及第二部分；及第一导电层，位于该绝缘层之上；其中，该第一部分与该光电单元层重叠且延伸超出该最外侧面并未覆盖该最外侧面，该第二部分与该第一部分分开并于一剖面上与该光电单元层重叠。
【技术特征摘要】
2011.08.09 US 13/205,9871.一种光电元件，包含︰光电单元，具有第一金属层、第二金属层以及最外侧面；绝缘层，直接覆盖该第一金属层的上表面及该第二金属层的上表面，并具有第一部分及第二部分；及第一导电层，位于该绝缘层之上；其中，该第一部分与该光电单元层重叠且延伸超出该最外侧面并未覆盖该最外侧面，该第二部分与该第一部分分开并于一剖面上与该光电单元层重叠。2.如权利要求1所述的光电元件，其中，该第一部分具有弧形剖面。3.如权利要求1所述的光电元件，其中，该第二部分位于该第一金属层与该第二金属层之间...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩政男，李宗宪，谢明勋，陈宏萱，刘欣茂，陈星兆，陶青山，倪志鹏，陈泽澎，吴仁钊，佐野雅文，王志铭，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71
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