应用于平行光照明的发光二极管制造技术

本发明专利技术提供了一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层。本发明专利技术通过在发光二极管芯片的发光表面的部分区域覆盖抑制光辐射的覆盖层，抑制发光二极管的总辐射通量，使得其他未处理发光表面区域获得极大辐射出射度，该光源将有利于降低平行光发散角，优化平行光的照明设计。

Light emitting diode applied to parallel light illumination

The present invention provides an application in parallel light emitting diode, which comprises a light emitting diode chip, heat sink and optical package, the LED chip under the surface of the heat sink contact, the upper surface and the four sides are light emitting surface, the optical packaging body is coated on the the light emitting diode chip, wherein the light emitting region of the surface covered with a layer of light radiation suppression. In the light emitting diode chip light emitting surface of the covering layer inhibits the area coverage of optical radiation, inhibiting the total radiant flux of light emitting diode, the other untreated luminous surface areas obtained great radiance, the light source will help reduce the parallel beam divergence angle, lighting design optimization of parallel light.

【技术实现步骤摘要】
应用于平行光照明的发光二极管
本专利技术涉及一种发光二极管（LED），尤其涉及一种应用于平行光照明的发光二极管。
技术介绍
微电子、微机电系统制造都需要应用到曝光机，曝光机中的光学系统是将光源发出的光转换为理想平行光，然后，通过平行光将掩膜上的图形等尺寸转移到掩膜下面的菲林上，再通过刻蚀，将菲林上的图形转移到基片上。在整个制造过程中，平行光的发散角决定了图形从菲林转移到基片的精度，发散角越小，转移的精度越高。传统的平行光源往往采用体积较大的金属或金属卤化物气体放电灯，其谱线不纯，寿命也较短，运行成本高。近年来，随着发光二极管技术的进步，发光二极管灯珠在发光效率，发光寿命，谱线窄等方面的优势日益突出，正不断取代曝光机中的传统气体放电灯，成为曝光机光源的主流。伴随着曝光机对精度要求的不断提高，曝光机所要求平行光的发散角越来越小。例如，半发散角由过去的小于2.5°提高到小于0.5°。然而，随着发散角的变小，曝光机光学系统所出射平行光的辐射出射度迅速降低，而无法达到被曝光物所需的曝光要求。单纯对曝光机光学系统进行改进是无法解决该问题的，必须对光源进行优化。本专利技术将从曝光机所采用的光源的角本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，其特征在于：所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层。

【技术特征摘要】
1.一种应用于平行光照明的发光二极管，包括发光二极管芯片、热沉以及光学封装体，所述发光二极管芯片的下表面与所述热沉接触，其上表面及四个侧面均为发光表面，所述光学封装体包覆于所述发光二极管芯片外，其特征在于：所述发光表面的部分区域覆盖有抑制光辐射的覆盖层。2.如权利要求1所述的应用于平行光照明的发光二极管，其特征在于：所述覆盖层覆盖于所述发光二极管芯片的四个侧面及上表面中的任意一个面或多个面上，且位于任意一个面上的覆盖层覆盖该面的全部区域或者部分区域。3.如权利要求1所述的应用于平行光照明的发光二极管，其特征在于：所述覆盖层为镀于所述发光表面的金属膜。4.如权利要求1所述的应用于平行光照明的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片的两电极都位于发光二极管芯片的上表面，两电极共同覆盖发光二极管芯片的上表面且仅在中央形成圆形出光孔。5.如权利要求1所述的应用于平行光照明的发光二极管，其特征在于：所述发光二极管芯片的两电极分别位于发光二极管芯片的上表面和下表面，位于所述发光二极管芯片上表面的电极覆盖发光二极管芯片的上表面且仅在中央形成圆形出光孔。6.如权利要求4或5所述的应用于平行光照明的发光二极管，其特征在于：所述光学封装体的顶部设有一个球面准直透镜，所述发光二极管芯片位于所述球...

【专利技术属性】
技术研发人员：王文峰，刘一霖，赵江，熊晖，张军，
申请(专利权)人：湖北大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42