专利查询
首页
专利评估
登录
注册
当前位置:
首页
>
专利查询
>
扬州乾照光电有限公司
>
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法技术
>技术资料下载
下载一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法的技术资料
文档序号:16366569
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。
一种垂直结构AlGaInP基发光二极管及其制造方法,属于光电子技术领域,在衬底正面依次设置DBR层、N限制层、有源层、P限制层、电流扩展层、粗化层,在部分粗化层上设置欧姆接触层,在欧姆接触层上设置正电极;特点是述粗化层设置有若干沟槽,在沟槽...
该专利属于扬州乾照光电有限公司所有,仅供学习研究参考,未经过扬州乾照光电有限公司授权不得商用。
详细技术文档下载地址
温馨提示:您尚未登录,请点
登陆
后下载,如果您还没有账户请点
注册
,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。