一种氮化物半导体发光二极管制造技术

本发明专利技术公开一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱的每一周期由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，穿透位错线连接V形坑。所述具有V形坑的第一量子阱层的V形坑被封V形坑层进行填充封闭后形成低In组分区，V形坑上方的无V形坑的第二量子阱层形成高In组分区，从而穿透位错线连着的V形坑在c轴方向形成纵向In组分高低涨落区，与第一量子阱层和第二量子层的ab轴的横向In组分涨落区进行耦合，形成三维立体的In组分涨落层，提升量子阱区的电子空穴的限制效应和复合几率，提升发光效率。

A nitride semiconductor light emitting diode

The invention discloses a nitride semiconductor light emitting diode includes a substrate, N type nitride semiconductor, quantum well, P type nitride semiconductor, the multi quantum well each cycle consists of a V shaped hole layer, the first quantum well layer with a V shaped hole, V shaped hole sealing layer, non periodic structure of second quantum V well layer shaped hole composed of threading dislocation lines connecting V shaped hole. V shaped hole first quantum well layer has an V shaped pit is V shaped hole filling layer closed after the formation of the low In group partition, V shaped hole at the top of the second layer V quantum well shaped hole formation in high In group partition, V shaped hole so as to penetrate the dislocation line connected with the formation of longitudinal In components of high and low fluctuation zone in C direction, coupled with the first horizontal group In quantum well layer and the second layer of the AB axis of the quantum fluctuation of the formation of three-dimensional points, the In component fluctuation layer, limiting effect of electron hole quantum well region and enhance the recombination rate, improving the luminous efficiency.

【技术实现步骤摘要】
一种氮化物半导体发光二极管
本专利技术涉及半导体光电器件领域，特别是一种具有三维立体In组分涨落层的氮化物半导体发光二极管。
技术介绍
现今，氮化物半导体发光二极管（LED），因其较高的发光效率、波长连续可调、节能环保等优点，目前已广泛应用于室内白光照明、手机背光照明、电视背光照明、显示照明、路灯、景观灯等领域。采用量子结构的氮化物发光二极管通过局域量子限制作用，可提升有源区的电子和空穴波函数的交叠几率和复合效率，使量子效率再提升至一个新的台阶。当势阱材料的厚度达到可比拟电子的德布罗意波长或与玻尔半径时，会产生量子尺寸效应。采用多量子阱结构的氮化物发光二极管可在量子阱区域形成量子效应、量子限制效应、量子尺寸效应等，提升量子阱的电子和空穴的复合几率，从而使内量子效率可提升至75%以上。
技术实现思路
为了进一步提升氮化物半导体发光二极管的发光效率，本专利技术一种具有三维立体In组分涨落层的氮化物半导体发光二极管，通过在多量子阱区制作每一周期的开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层，并使穿透位错线连接V形坑，从而使具有V形坑的第一量子阱层的V形坑被封V形坑层本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱的每一周期由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，穿透位错线连接V形坑，所述具有V形坑的第一量子阱层的V形坑被封V形坑层进行填充封闭后形成低In组分区，V形坑上方的无V形坑的第二量子阱层形成高In组分区，从而穿透位错线连着的V形坑在c轴方向形成纵向In组分高低涨落区，与第一量子阱层和第二量子层的ab轴的横向In组分涨落区进行耦合，形成三维立体的In组分涨落层。

【技术特征摘要】
1.一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱的每一周期由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，穿透位错线连接V形坑，所述具有V形坑的第一量子阱层的V形坑被封V形坑层进行填充封闭后形成低In组分区，V形坑上方的无V形坑的第二量子阱层形成高In组分区，从而穿透位错线连着的V形坑在c轴方向形成纵向In组分高低涨落区，与第一量子阱层和第二量子层的ab轴的横向In组分涨落区进行耦合，形成三维立体的In组分涨落层。2.根据权利要求1所述一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述纵向In组分涨落区的In组分高低起伏变化范围为0.05~0.35。3.根据权利要求1所述一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述横向In组分涨落区的In组分高低起伏变化范围为0.15~0.25。4.根据权利要求1所述一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述多量子阱由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，周期数量为n，其中n≥3对。5.根据权利要求1所述一种氮化物半导体发光二极管，其特征在于：所述第一量子阱层、第二量子阱层为Inx...

【专利技术属性】
技术研发人员：郑锦坚，周启伦，钟志白，林峰，李水清，陈松岩，康俊勇，
申请(专利权)人：厦门市三安光电科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35