一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法技术

本发明专利技术公开了一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，其中p型半导体层包含由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜。通过在p型半导体层中加入Ag金属膜，能够促进横向过生长，诱导位错湮灭，从而提高P－GaN薄膜的质量，同时能够提高LED的光效。

【技术实现步骤摘要】
一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法
本专利技术涉及LED芯片领域，特别是一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法。
技术介绍
目前，GaN基LED的发光二极管是由发光二极管的内量子效率和光提取率决定的。GaN基LED主要采用蓝宝石作为衬底，由于蓝宝石的绝缘性，因此LED芯片的p型电极和n型电极只能设计制作在芯片的同一外延面上。常规的GaN基LED结构包括衬底、n型半导体层、多量子阱有源区、p型半导体层和透明导电层。同时，Ag纳米粒子具有局域表面等离子体增强效应，将Ag纳米粒子应用于p型半导体层能够提高P－GaN薄膜的质量以及LED的光效。
技术实现思路
为解决上述问题，本专利技术的目的是提供一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法，通过改变P－GaN薄膜的结构，从而提高P－GaN薄膜的质量以及LED芯片的出光效率。本专利技术解决其问题所采用的技术方案是：一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置n型半导体层、量子阱和p型半导体层；所述p型半导体层包括底层P－GaN层、顶层P－Ga本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种新型P‑GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置n型半导体层、量子阱和p型半导体层；所述p型半导体层包括底层P‑GaN层、顶层P‑GaN层和由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜，所述Ag金属膜位于底层P‑GaN层和顶层P‑GaN层之间，所述底层P‑GaN层设置在量子阱上。

【技术特征摘要】
1.一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：包括衬底、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置n型半导体层、量子阱和p型半导体层；所述p型半导体层包括底层P-GaN层、顶层P-GaN层和由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜，所述Ag金属膜位于底层P-GaN层和顶层P-GaN层之间，所述底层P-GaN层设置在量子阱上。2.根据权利要求1所述的一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：所述底层P-GaN层和Ag金属膜的接触表面为平整的层状结构或者非平整的岛状结构。3.根据权利要求1所述的一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：所述顶层P-GaN层和Ag金属膜的接触面的对向表面为平整的层状结构。4.根据权利要求1所述的一种新型P-GaN薄膜结构的LED芯片，其特征在于：所述n型半导体层为N-GaN层，所述量子阱为InGaN/GaN量子阱。5.根据权利要求1所述的一种新型P-GaN薄膜结构的LED...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨为家，吴质朴，何畏，陈强，
申请(专利权)人：江门市奥伦德光电有限公司，五邑大学，
类型：发明
国别省市：广东,44