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本发明公开了一种新型P－GaN薄膜结构的LED芯片及其制备方法，包括衬底、缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，所述衬底上依次设置缓冲层、n型半导体层、量子阱和p型半导体层，其中p型半导体层包含由Ag纳米粒子形成的Ag金属膜。通过在p...
该专利属于江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学所有，仅供学习研究参考，未经过江门市奥伦德光电有限公司;五邑大学授权不得商用。

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