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本发明公开一种氮化物半导体发光二极管，包括衬底，N型氮化物半导体，多量子阱，P型氮化物半导体，所述多量子阱的每一周期由开V形坑层，具有V形坑的第一量子阱层，封V形坑层，无V形坑的第二量子阱层组成的周期结构，穿透位错线连接V形坑。所述具有V形...
该专利属于厦门市三安光电科技有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过厦门市三安光电科技有限公司授权不得商用。

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