实施例提供了执行用于器件晶圆的载体切换、附接第二晶圆和去除第一晶圆的方法。缓冲层沉积在器件晶圆上方，缓冲层减少了器件晶圆表面的形貌。在载体切换之后，从缓冲层去除线上薄膜层，并且然后至少部分去除缓冲层。本申请的实施例还提供了半导体器件及其...

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一...

本申请的实施例提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括定位在衬底的n型掺杂区域中的第一和第二CMOS结构，该第一CMOS结构包括公共栅极端子、第一NMOS体接触点和源极接触点以及第一PMOS体接触点和源极接触点，该第二CMO...

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底，衬底具有第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件中的至少一个包括光敏元件。半导体器件包括围绕第一器件的第一隔离部件，其中第一隔离部件具有第一深度。半导体器件包括围绕第...

描述了管芯结构及其形成方法。在实施例中，器件包括：下部集成电路管芯；第一上部集成电路管芯，面至面接合至下部集成电路管芯，第一上部集成电路管芯包括第一半导体衬底和第一衬底通孔；间隙填充电介质，位于第一上部集成电路管芯周围，间隙填充电介质的...

一种集成电路结构，包括第一晶体管、介电层、多个半导体柱、多个半导体插塞、半导体结构、及第二晶体管。第一晶体管形成于基板上。介电层在第一晶体管之上。半导体柱自基板延伸至介电层。半导体插塞自介电层的顶表面延伸至介电层中，并延伸至多个半导体柱...

提供了一种操作量子器件的方法，包括：根据用量子器件执行的两量子位门操作施加磁场；将电压信号传输到栅极结构，所述栅极结构布置在所述量子器件中的第一和第二量子点上方，以生成包括第一正弦方波的耦合信号；以及通过磁场和耦合信号对第一量子点和第二...

半导体装置包含：在半导体基板上方的栅极结构，具有高介电系数介电层、P型功函数层、N型功函数层、介电抗反应层及胶层；及位于栅极结构上方的连续的金属盖，通过以下形成：在栅极结构的上方沉积金属材料，选择性地将部分抗反应层移除，及在栅极结构的上...

根据本申请的实施例，提出了光学器件及其制造方法，其中在第一半导体器件内形成开口，然后接合至其他光学器件。激光管芯或其他填充材料可以用于重新填充开口。然后将第一半导体器件电连接至光学中介层。

根据本申请的实施例，提供了一种集成电路，包括互补场效应晶体管(CFET)。CFET包括垂直地堆叠的第一晶体管和第二晶体管。导电通孔从第一晶体管的第一源极/漏极区垂直延伸经过第二晶体管。第二晶体管包括非对称的第二源极/漏极区。第二源极/漏...

一种光阻组合物及半导体装置的制造方法。制造半导体装置的方法包括：形成第一层于基板上，第一层具有有机材料。形成第二层于第一层上，第二层包括含硅聚合物，含硅聚合物具有侧酸基或侧光致产酸剂基。形成第二层包括：形成组合物层于第一层上，组合物层包...

本技术是有关于一种三维存储器装置。所述三维存储器装置包括：多条栅极线，在垂直方向上交错排列于多个介电层之间，所述多条栅极线在所述多个介电层之间形成凹槽；源极/漏极线，设置于所述多个介电层旁边，所述源极/漏极线在侧向方向上通过凹槽而与所述...

呈现了光学器件及其制造方法，其中激光管芯或其它异构器件嵌入在光学器件内并且倏逝耦合至其它器件。倏逝耦合可以从激光管芯至波导、至外腔、至外部耦合器或者至中介层衬底实施。

本技术实施例涉及一种半导体装置。根据本技术的一些实施例，一种半导体装置及形成此装置的方法包含MEMS组件，所述MEMS组件包含一或多个MEMS像素且具有MEMS膜衬底及MEMS侧壁。所述半导体装置包含模拟电路组件，所述模拟电路组件经接合...

方法包括：图案化衬底中的顶部硅层以形成多个光子器件。衬底包括顶部硅层、位于顶部硅层下方的第一介电层以及位于第一介电层下方的半导体层。方法还包括：形成第二介电层以将多个光子器件嵌入其中；在多个光子器件上方形成信号耦合至多个光子器件的互连结...

本申请公开了用于缺陷检查的阱调节。一种方法包括形成衬垫层。衬垫层包括在半导体衬底的第一区域之上的第一部分和在半导体衬底的第二区域之上的第二部分。第一部分具有第一厚度，并且第二部分具有小于第一厚度的第二厚度。然后对半导体衬底进行退火以在半...

用于决定周期性输入信号的工作循环的系统、方法及电路。延迟元件基于数字控制字元来延迟周期性输入信号。数字电路用以:产生用于使周期性输入信号延迟第一时间量的第一数字控制字元，此第一时间量对应于周期性输入信号的周期；产生用于使周期性输入信号延...

本公开涉及半导体器件的沉积方法。一种方法，包括：将第一材料沉积在衬底中的凹部的侧壁表面上，其中，第一材料是导电材料；在沉积第一材料之后，使用等离子体辅助沉积工艺在凹部的底表面上沉积第二材料；以及在沉积第二材料之后，去除第一材料。

一种开关结构与半导体结构，半导体结构包含一第一电极、一第二电极、一相变材料线至少两个加热器线及一隔离层。相变材料线与第一电极及第二电极接触且位于第一电极与第二电极之间。至少两个加热器线位于第一电极与第二电极之间。一隔离层位于相变材料线与...

本技术的一些实施例提供改进可靠性的半导体结构。根据本公开的示范性半导体结构包含：半导体衬底，其包含第一区及围绕所述第一区的第二区；III‑V族半导体层，其直接放置于所述第一区上方；化合物半导体装置，其形成于所述III‑V族半导体层中及上...