【技术实现步骤摘要】
本公开涉及半导体制造领域，并且更具体地涉及用于缺陷检查的阱调节。
技术介绍
1、在集成电路的形成中，n阱区域和p阱区域被形成，并且可以相互接合。n阱区域和p阱区域是通过分别将n型杂质和n型杂质注入半导体衬底而形成的。诸如晶体管之类的集成电路器件基于n阱区域和p阱区域形成。
技术实现思路
1、根据公开的第一方面，提供了一种用于形成半导体结构的方法，包括：形成衬垫层，该衬垫层包括：第一部分，在半导体衬底的第一区域之上，其中，所述第一部分具有第一厚度；以及第二部分，在所述半导体衬底的第二区域之上，其中，所述第二部分具有小于所述第一厚度的第二厚度；对所述半导体衬底进行退火以在所述半导体衬底的第一区域之上形成第一氧化物层，并在所述半导体衬底的第二区域之上形成第二氧化物层；去除所述衬垫层、所述第一氧化物层和所述第二氧化物层；以及在所述半导体衬底的第一区域和第二区域之上、并与所述半导体衬底的第一区域和第二区域相接触地外延生长半导体层。
2、根据公开的第二方面，提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；第一p阱区域，在所述半导体衬底中，其中，所述第一p阱区域包括第一顶表面；以及第一n阱区域，在所述半导体衬底中，其中，所述第一n阱区域包括低于所述第一顶表面的第二顶表面以形成阶梯高度，并且其中，所述第一p阱区域和所述第一n阱区域彼此接合以形成垂直界面。
3、根据公开的第三方面，提供了一种半导体结构，包括：半导体衬底；多个p阱区域，在所述半导体衬底中，其中，所述多个p阱区域包括第一
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1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度的差值在约0.1nm和约3nm之间的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在生长所述半导体层之后，使用原子力显微镜(AFM)图像检查所述半导体层以确定所述半导体层的缺陷的位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火是使用包括氧气的工艺气体来执行的。
6.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火是在所述衬垫层覆盖所述半导体衬底时被执行的。
7.根据权利要求1所述的方法，还包括：在所述衬垫层中形成第一凹槽。
8.根据权利要求7所述的方法，还包括：在所述半导体衬底中形成第二凹槽，其中，所述第二凹槽位于所述半导体衬底的第一区域和第二区域的接合区域中，并且其中，所述第二凹槽位于所述第一凹槽正下方。
9.一种半导体结构，包括：
10.一种半导体结构，包括：
【技术特征摘要】
1.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
2.根据权利要求1所述的方法，还包括：
3.根据权利要求1所述的方法，其中，所述第二厚度小于所述第一厚度的差值在约0.1nm和约3nm之间的范围内。
4.根据权利要求1所述的方法，还包括：在生长所述半导体层之后，使用原子力显微镜(afm)图像检查所述半导体层以确定所述半导体层的缺陷的位置。
5.根据权利要求1所述的方法，其中，所述退火是使用包括氧气的工艺气体来执行的。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：韩志勇，陈文彦，吴怡亭，黄才育，张惠政，杨育佳，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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