一种半导体结构的形成方法。示例性方法包括在基板上方形成第一晶体管结构和第二晶体管结构，其中每个晶体管结构包括至少一片纳米片。该方法还包括在每个晶体管结构上方和每个纳米片周围沉积金属；在金属上沉积涂层；在涂层上沉积掩模；图案化掩模以定义图...

根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。根据本公开的实施例的半导体结构包括在介电层中的金属部件、在介电层和金属部件上方的钝化结构、在钝化结构上方的接触焊盘以及延伸穿过钝化结构以及与金属部件和接触焊盘接触的多个接触通孔，其中，金...

一种半导体装置，包括：设置在一主动区内的一晶体管。晶体管包括：一源极/漏极特征部件、一鳍部通道及一包围鳍部通道上的栅极结构。晶体管也包括：设置在主动边缘的绝缘区。主动边缘位于主动区的边界。绝缘区包括一沟槽。沟槽具有一渐细部。位于鳍部通道...

一种光阻组成物、形成光阻组成物的方法及极紫外线微影方法。光阻组成物包含一混合物。该混合物包含一第一感光材料及一第二感光材料。该第一感光材料为一6‑Sn氧化物簇、一12‑Sn氧化物簇或它们的一组合。该第二感光材料具有与该第一感光材料的一组...

本揭露描述一种半导体元件结构。半导体元件结构包含栅极电极、栅极介电层和栅极间隔物。栅极电极包含第一至第三区段。第一区段具有倾斜侧壁及虚拟侧壁。第二区段自第一区段的虚拟侧壁径向延伸且具有曲状底部。第三区段自第一区段向下延伸且具有侧壁。第一...

一种半导体装置，包含第一晶片、第二晶片及中介层，其中第一晶片包含多个第一元件特征及多个第一内连接结构，此些第一内连接结构是设置于此些第一元件特征上，第二晶片包含多个第二元件特征及多个第二内连接结构，此些第二内连接结构是设置于此些第二元件...

一种半导体封装及其制造方法，半导体封装包括晶粒，此晶粒包含在第一基板上的多个装置，其中第一基板包含第一浓度的掺杂剂，并且其中第一基板沿水平方向具有第一宽度。此半导体封装还包括第二基板，此第二基板与第一基板熔合，其中第二基板包含大于第一浓...

本技术实施例提供一种磁性随机存取存储器装置及磁性穿隧接面结构。在一实施例中，磁性穿隧结构包含第一铁磁层，第二铁磁层设置于第一铁磁层之上，第一介电层设置于第一铁磁层和第二铁磁层之间，并接触第一铁磁层和第二铁磁层，多个金属粒子与第二铁磁层接...

一种半导体装置，包括位于基板上的导电结构，所述导电结构具有：顶表面、在第一接点与顶表面相交的第一侧壁、以及在第二接点与顶表面相交的第二侧壁；以及位于导电结构之上的阻挡层，所述阻挡层包括：沿着第一侧壁向下延伸的第一凸部、沿着第二侧壁向下延...

本技术实施例涉及一种半导体装置，其包含重布层、保护层、凸起壁、导电凸块及金属柱。所述重布层具有暴露内部金属层，所述保护层放置于所述重布层上方，所述保护层包括第一材料。所述凸起壁放置于所述保护层上方及所述暴露内部金属层周围，所述凸起壁包括...

提供了包括第一栅极隔离结构和第二栅极隔离结构的半导体结构和工艺。第一栅极隔离结构可以形成在介电壁上，纳米结构沟道区域从介电壁延伸。第二栅极隔离结构可以形成在浅沟槽隔离部件上。第一栅极隔离结构的高度小于第二栅极隔离结构的高度。第一栅极隔离...

本公开涉及双向扫描触发器电路和方法。一种扫描触发器电路，包括：选择电路，包括第一和第二输入端耦合到第一和第二I/O节点；触发器电路，耦合到选择电路；第一驱动器，耦合在触发器电路与第一I/O节点之间；以及第二驱动器，耦合在触发器电路与第二...

提供了一种芯片组装结构及其形成方法，该结构包括第一含芯片结构和第二含芯片结构。第一含芯片结构包括后端制程(BEOL)存储器管芯，其包括存储器单元阵列和电连接到存储器单元阵列的对应节点的金属互连结构。BEOL存储器管芯没有任何半导体材料部...

器件包括：第一半导体纳米结构的第一堆叠件；第二半导体纳米结构的第二堆叠件，位于第一半导体纳米结构的第一堆叠件上；第一半导体纳米结构的第三堆叠件，邻近第一堆叠件；第一栅极结构，包裹第一堆叠件和第二堆叠件；第二栅极结构，包裹第三堆叠件；栅极...

描述了半导体装置，包括：第一源极/漏极外延部件，第一源极/漏极外延部件设置在第一区域中，其中第一源极/漏极外延部件相对于鳍片是不对称的；第二源极/漏极外延部件，第二源极/漏极外延部件设置在第一区域中；第一介电部件，第一介电部件设置在第一...

本申请涉及一种集成电路器件，电阻平衡条带极大地提高了栅极接地N型通道金属氧化物半导体(ggNMOS)器件承受及防护人体放电模型(HBM)静电放电(ESD)事件的能力。电阻平衡条带是在基底中在有源区与环绕有源区的块状环之间形成的高电阻区，...

本技术是涉及晶体管及半导体装置。所述半导体装置包括衬底以及设置于衬底内的掺杂区。栅极电极设置于掺杂区之上，且源极区及漏极区设置于掺杂区内。浅沟渠隔离(STI)结构设置于衬底内且在侧向上环绕源极区及漏极区。第一掺杂衬垫沿着STI结构设置，...

本技术实施例提供一种半导体装置，包括：衬底；电路区，位于衬底上且包括晶体管的源极/漏极结构、连接源极/漏极结构的第一半导体层及置于源极/漏极结构之间且包绕第一半导体层的第一栅极结构；及密封环，位于衬底之上且环绕电路区，密封环包括外延生长...

实施例半导体器件可以包括半导体管芯堆叠件，半导体管芯堆叠件具有包括第一前侧互连结构和第一背侧互连结构的第一半导体管芯以及包括第二前侧互连结构和第二背侧互连结构的第二半导体管芯，从而使得第一背侧互连结构电连接至第二前侧互连结构。第一半导体...

本技术提供一种内存器装置与集成电路。集成电路包括内存器、写入路径开关、写入端及写入驱动器。内存器具有存储单元。存储单元具有第一和第二状态。写入路径开关具有由特征位所决定的连接状态。写入驱动器具有输入端，输入端通过由写入路径开关的连接状态...