本申请的实施例提供了一种静电场强度测量装置和方法以及半导体处理方法。该装置包括激光生成器件，被配置为向半导体制造组件发射激光信号。该装置包括反射检测器件，被配置为接收反射信号，反射信号包括由半导体制造组件的表面反射的激光信号的光。反射检...

一种半导体装置及其形成方法，半导体装置形成方法包含：将部分的介电质填充材料转变为硬遮罩的工艺包含使用氮气处理或氮气电浆将部分的介电质填充材料转变为类氮层，以作为硬遮罩，以通过蚀刻工艺形成装置晶片的边缘区域。在形成边缘区域之后，在边缘区域...

提供了半导体结构及其形成方法。根据本发明的半导体结构包括：第一有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿垂直于第一方向的第二方向具有第一宽度；第二有源区域，沿第一方向纵向延伸并且沿第二方向具有第二宽度；以及外延部件，沿第一方向夹置在第一有源区域...

本技术提供一种器件封装及半导体封装。器件封装，包括包含第一接合层的第一半导体器件；接合到第一半导体器件的第一接合层的第二半导体器件；设置在第二半导体器件旁边及第一接合层上的多个散热结构，其中散热结构包括导电材料，其中散热结构与第一半导体...

本发明的实施例提供了一种图像传感器，包括光敏传感器、浮置扩散节点、复位晶体管和源极跟随器晶体管。复位晶体管包括耦合至浮置扩散节点的第一源极/漏极和耦合至第一电压源的第二源极/漏极。源极跟随器晶体管包括耦合至浮置扩散节点的栅极和耦合至复位...

一种封装结构，包括：衬底；多个管芯，位于衬底上；以及存储器桥接管芯，包括连接至多个管芯的第一半导体管芯的第一输入/输出结构，和连接至多个管芯的第二半导体管芯的第二输入/输出结构。第一半导体管芯通过存储器桥接管芯连接至第二半导体管芯。本发...

用于调制器件的阈值电压的方法。该方法包括提供从衬底延伸的鳍，其中鳍包括多个半导体沟道层，该多个半导体沟道层限定了用于P‑型晶体管的沟道区域。在一些实施例中，该方法还包括形成围绕P‑型晶体管的多个半导体沟道层中的每个的至少三个侧的第一栅极...

半导体封装件，包括：第一中介层，包括：第一衬底；第一光学组件，位于第一衬底上方；第一介电层，位于第一光学组件上方；以及第一导电连接件，嵌入在第一介电层中；光子封装件，接合至第一中介层的第一侧，其中，第一中介层和光子封装件之间的第一接合包...

在一些实施例中，本技术是关于一种半导体工艺系统，包括第一半导体工艺地点和第二半导体工艺地点。所述系统包括一辆无人电动车，配置为在第一半导体工艺地点和第二半导体工艺地点之间承载可携式洁净室储料器。可携式洁净室储料器配置为在运输过程中保持可...

本公开的各个实施例针对成像器件，该成像器件包括：第一图像传感器元件和第二图像传感器元件，分别包括设置在半导体衬底内的像素单元。第一图像传感器元件与第二图像传感器元件相邻。第一微透镜位于第一图像传感器元件上面，并且从第一图像传感器元件的像...

本公开涉及具有包括不同宽度源极和漏极端子的晶体管的集成电路。一种集成电路包括第一端子导体、第二端子导体以及在第一端子导体和第二端子导体之间的栅极导体。第一端子导体与有源区结构和电源轨相交。第二端子导体与有源区结构相交但不与电源轨相交。栅...

一种制造半导体装置的方法以及光阻剂组成分，制造半导体装置的方法包括在基板上方形成包括光阻剂组成分的光阻剂层。将光阻剂层选择性地曝光于光化辐射，将选择性曝光的光阻剂层显影，以在光阻剂层中形成图案。光阻剂组成分包括聚合物，聚合物包括具有光裂...

方法包括形成包括光子管芯的光学引擎。光子管芯包括光栅耦合器。该方法还包括形成光纤单元，该光纤单元包括具有槽的光纤平台；以及附接至光纤平台的光纤。光纤延伸至槽中。所述光纤单元还包括反射器。将光纤单元附接至光学引擎，并且反射器被配置为偏转光...

提供一种记忆体装置，包括至少一个位元格、一对晶体管、及电压产生电路。电压产生电路耦合至负电压线，并用以经由负电压线将一对数据线中的至少一者的电压下拉至负电压位准。电压产生电路包括第一电容单元、第二电容单元、及开关电路。第一电容单元包括第...

本技术提供一种运输装置，包括耦合至相关联的第一自动物料搬运系统的第一控制系统。第一自动物料搬运系统包括：第一高架转移轨道，包括第一部分；第一运载工具，能够沿着第一高架转移轨道移动并载运容器，容器能够操作以在其中载运半导体晶圆。系统也包括...

一种CMOS影像感测器包括在平面图中分布于一影像像素阵列中的多个PDAF像素。每一PDAF像素包括m×m个格化光电二极管、上覆格化光电二极管且由一第一隔离结构侧向包围的一PDAF彩色滤光片以及上覆PDAF彩色滤光片的一PDAF微型透镜。...

实施例提供了执行用于器件晶圆的载体切换、附接第二晶圆和去除第一晶圆的方法。缓冲层沉积在器件晶圆上方，缓冲层减少了器件晶圆表面的形貌。在载体切换之后，从缓冲层去除线上薄膜层，并且然后至少部分去除缓冲层。本申请的实施例还提供了半导体器件及其...

本公开涉及一种半导体装置及其制造方法。在半导体装置的制造方法中，形成在基底上方具有金属栅极结构、源极及漏极的场效晶体管，在隔离绝缘层上方设置于虚设金属栅极结构之间的第一前侧接点，在第一前侧接点上方形成第一配线层，从基底的背侧移除基底的一...

本申请的实施例提供了一种集成电路器件及其制造方法。集成电路器件包括定位在衬底的n型掺杂区域中的第一和第二CMOS结构，该第一CMOS结构包括公共栅极端子、第一NMOS体接触点和源极接触点以及第一PMOS体接触点和源极接触点，该第二CMO...

本申请的实施例公开了一种半导体器件及其制造方法。半导体器件包括衬底，衬底具有第一器件和第二器件，其中第一器件和第二器件中的至少一个包括光敏元件。半导体器件包括围绕第一器件的第一隔离部件，其中第一隔离部件具有第一深度。半导体器件包括围绕第...