【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及半导体结构及其形成方法。
技术介绍
1、再分布层(rdl)包括至少一个金属层以再分布集成电路(ic)芯片的输入/输出(i/o)焊盘。因此，rdl层中的金属部件可以位于互连结构和焊料凸块之间。很多努力都致力于加强和保护rdl中的金属部件免受焊料凸块处产生的应力的损坏。
技术实现思路
1、根据本申请的一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：金属部件，在介电层中；钝化结构，在介电层和金属部件上方；接触焊盘，在钝化结构上方；以及多个接触通孔，延伸穿过钝化结构并与金属部件和接触焊盘接触，其中，金属部件包括第一厚度，其中，接触焊盘包括大于第一厚度的第二厚度。
2、根据本申请的另一个实施例，提供了一种半导体结构，包括：金属部件，在介电层中；钝化结构，在介电层和金属部件上方；接触焊盘，在钝化结构上方；多个接触通孔，延伸穿过钝化结构并且与金属部件和接触焊盘接触；保护层，沿着接触焊盘的侧壁设置；顶部钝化层，设置在接触焊盘、钝化结构与保护层上方；聚合物层，设置在顶部钝化层上方；以及导电柱，延伸穿过聚合物层和顶部钝化层以接触接触焊盘。
3、根据本申请的又一个实施例，提供了一种用于形成半导体结构的方法，包括：提供工件，工件包括：金属部件，以及钝化结构，在金属部件上方。形成半导体结构的方法还包括：形成穿过钝化结构以暴露金属部件的多个通孔开口；在工件和多个通孔开口上方沉积晶种层；在晶种层上方沉积第一光刻胶层；图案化第一光刻胶层以在多个通孔开口上方的第一光刻胶层中形成焊盘
4、本申请的实施例涉及厚再分布层部件。
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1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述钝化结构包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述外层的最高表面高于所述内层的最高表面。
7.根据权利要求5所述的半导体结构，其中，所述内层与所述外层包括氮化硅。
8.根据权利要求1所述的半导体结构，其中所述第二厚度与所述第一厚度的比率在约5和约10之间。
9.一种半导体结构，包括：
10.一种用于形成半导体结构的方法，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，包括：
2.根据权利要求1所述的半导体结构，其中，所述钝化结构包括：
3.根据权利要求1所述的半导体结构，
4.根据权利要求2所述的半导体结构，其中，所述第一钝化层和所述第二钝化层包括氮化硅。
5.根据权利要求1所述的半导体结构，还包括：
6.根据权利要求5所述的半...
【专利技术属性】
技术研发人员：郑家峰，连刚逸，赖佳平，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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