【技术实现步骤摘要】
本创作是关于一种半导体装置，且特别是关于一种非平面式多栅极半导体装置。
技术介绍
1、电子行业对更小、更快、同时能够支持更多日益复杂及精密功能的电子装置的需求不断增加。因此，在半导体行业具有一持续性的趋势，即制造低成本、高效能及低功耗的集成电路(integrated circuit，ic)。到目前为止，这些目标在很大程度上是通过缩小半导体集成电路尺寸(例如，最小特征尺寸)，进而提高生产效率及降低相关成本而实现的。然而，此种发展也给半导体制造制程带来了更大的复杂性。因此，实现半导体集成电路及装置的持续进步需要半导体制造制程及技术的类似进步。
2、最近，已经引入多栅极装置，以致力通过增加栅极-通道耦合来改善栅极控制，减少闭态电流，并减少短通道效应(short-channel effect，sce)。已经引入的一种上述多栅极装置为鳍式场效晶体管(finfet)。鳍式场效晶体管(finfet)的名字来自于鳍型结构，自基底上延伸而形成于基底上，并用来形成场效晶体管(fet)通道。鳍式场效晶体管(finfet)装置与传统的互补式金属氧化...
【技术保护点】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该晶体管包括一鳍式场效晶体管。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该沟槽填充有一介电材料。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一晶体管及该第二晶体管中各个包括一鳍式场效晶体管。
7.如权利要求5或6所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
8.如权利要求5或6所述的半导体装...
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置，其特征在于，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，该晶体管包括一鳍式场效晶体管。
3.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，更包括：
4.如权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，该沟槽填充有一介电材料。
5.一种半导体装置，其特征在于，包括：
6.如权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，该第一晶体...
【专利技术属性】
技术研发人员：蔡雅怡，萧圣议，古淑瑗，陈嘉仁，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：新型
国别省市：
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