【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及集成电路及其形成方法。
技术介绍
1、包括智能手机、平板电脑、台式电脑、笔记本电脑、和许多其他类型的电子设备在内的电子设备对提高计算能力的需求一直在持续。集成电路为这些电子设备提供了计算能力。在集成电路中提高计算能力的一种方法是增加晶体管和其他集成电路部件的数量，这些部件可以包括在半导体衬底的给定区域中。
2、互补场效应晶体管(cfet)可以用于增加集成电路中晶体管的密度。cfet可以包括垂直地堆叠的n型晶体管和p型晶体管。n型晶体管和p型晶体管的栅极电极可以电短路在一起。
3、然而，存在与cfet的形成相关的各种困难。例如，在堆叠的晶体管中形成具有期望特性的源极/漏极区可能是困难的。结果是cfet的堆叠的晶体管中的一个或者两个可能不能正常工作。
技术实现思路
1、根据本申请的一个实施例，提供了一种集成电路，包括：第一晶体管。第一晶体管包括：第一沟道区；以及第一源极/漏极区，连接至第一沟道区。集成电路还包括第二晶体管，其中，第一晶体管和第二晶体管垂直地堆叠，第二晶体管包括：第二沟道区，与第一沟道区垂直地对准；以及第二源极/漏极区，连接至第二沟道区，其中，第二源极/漏极区相对于第二沟道区横向非对称。
2、根据本申请的另一个实施例，提供了一种集成电路，包括：第一晶体管。第一晶体管包括：多个第一堆叠沟道，彼此垂直地对准；以及第一源极/漏极区，连接至第一堆叠沟道，并且相对于第一堆叠沟道横向非对称。
3、根据本申请的又一个实施
4、本申请的实施例涉及具有非对称源极/漏极部件的cfet。
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1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一沟道区和所述第二沟道区在垂直轴上横向居中，所述第二源极/漏极区包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一源极/漏极区包括：
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第二源极/漏极区的所述第一横向端基本是尖锐端，其中，所述第二源极/漏极区的所述第二横向端基本是平坦的垂直表面。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一源极/漏极区的所述第一横向端和所述第二横向端都基本是尖锐端。
6.根据权利要求2所述的集成电路，还包括：导电通孔，电连接至所述第一源极/漏极区，并且延伸经过所述第二源极/漏极区，其中，与所述第一源极/漏极区相比，所述第二源极/漏极区横向地距所述导电通孔更远。
7.根据权利要求6所述的集成电路，其中，与所述第二源极/漏极区相比，所述第二沟道区横向地更靠近所述导电通孔。
8.根据权利要求6所述的集成电路，其中，与所述第二源极/漏极区相比，所述第二沟道区横向地距所述导电通孔更远。
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10.一种用于形成集成电路的方法，包括：
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路，其中，所述第一沟道区和所述第二沟道区在垂直轴上横向居中，所述第二源极/漏极区包括：
3.根据权利要求2所述的集成电路，其中，所述第一源极/漏极区包括：
4.根据权利要求3所述的集成电路，其中，所述第二源极/漏极区的所述第一横向端基本是尖锐端，其中，所述第二源极/漏极区的所述第二横向端基本是平坦的垂直表面。
5.根据权利要求4所述的集成电路，其中，所述第一源极/漏极区的所述第一横向端和所述第二横向端都基本是尖锐端。
【专利技术属性】
技术研发人员：荷尔本·朵尔伯斯，马可·范·达尔，廖思雅，林仲德，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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