【技术实现步骤摘要】
本申请的实施例涉及集成电路器件及其制造方法。
技术介绍
1、与早期的技术相比，小型化集成电路(ic)的不断发展的趋势已使得逐渐小型化的器件消耗更少的功率，还以更高的速度提供了更多的功能。通过与越来越严格的规范相关的设计和制造创新已经实现了这种小型化。在确保满足ic结构设计和制造规范的同时，各种电子设计自动化(eda)工具用于生成、修改和验证半导体器件的设计。
技术实现思路
1、根据本申请的实施例的一个方面，提供了一种集成电路器件，包括：第一cmos结构，定位在衬底的第一n型掺杂区域中，第一cmos结构包括公共栅极端子、第一nmos体接触点、第一nmos源极接触点、第一pmos体接触点和第一pmos源极接触点；第二cmos结构，定位在衬底的第二n型掺杂区域中，第二cmos结构包括公共漏极端子、第二nmos体接触点、第二nmos源极接触点、第二pmos体接触点和第二pmos源极接触点；从公共漏极端子到公共栅极端子的第一电连接件；包括第一二极管的第一钳位器件；从第一二极管的阴极到第一pmos体接...
【技术保护点】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二电连接件进一步连接到被配置为分配电源电压电平的上层金属互连结构。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三电连接件进一步连接到被配置为分配参考电压电平的上层金属互连结构。
5.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
6.一种集成电路器件，包括：
7.根据权利要求6所述的集成电路器件，还包括：
8.根据权利要求7所述的集成电路器件，其中
...【技术特征摘要】
1.一种集成电路器件，包括：
2.根据权利要求1所述的集成电路器件，还包括：
3.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第二电连接件进一步连接到被配置为分配电源电压电平的上层金属互连结构。
4.根据权利要求1所述的集成电路器件，其中，所述第三电连接件进一步连接到被配置为分配参考电压电平的上层金属互...
【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉麟，苏郁迪，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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