【技术实现步骤摘要】
本专利技术实施例是有关于半导体技术，且特别是有关于半导体装置及其制造方法。
技术介绍
1、随着半导体产业已进展至纳米技术制程节点，以追求更高的装置密度、更高的效能及更低的成本，来自制造和设计问题的挑战导致了三维设计的发展，例如多栅极场效晶体管(field effect transistor，fet)，多栅极场效晶体管包含使用鳍结构作为通道区的鳍式场效晶体管(fin fet，finfet)及使用多个纳米片或纳米线作为通道区的全绕式栅极(gate-all-around，gaa)场效晶体管。
技术实现思路
1、在一些实施例中，提供半导体装置的制造方法，此方法包含形成鳍结构，在鳍结构中，多个第一半导体层及多个第二半导体层交替堆叠于基底上方；在鳍结构上方形成牺牲栅极结构；蚀刻鳍结构未被牺牲栅极结构覆盖的源极/漏极区，进而形成源极/漏极空间；在源极/漏极空间中形成底部外延层；在底部外延层上方形成第一外延层；以及在第一外延层上方形成第二外延层，其中：形成第一外延层的步骤包含第一制程及第一制程之后的第二制程，第一制程及第二制程皆包含沉积阶段及沉积阶段之后的蚀刻阶段，且第一制程的沉积阶段与蚀刻阶段的制程时间比值大于第二制程的沉积阶段与蚀刻阶段的制程时间比值。
2、在一些实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含多个全绕式栅极场效晶体管，多个全绕式栅极场效晶体管的每一者包含：多个半导体片或半导体线，设置并垂直排列于底部鳍结构上方，底部鳍结构设置于基底上方；栅极电极；以及源极/漏极外延层，其中
3、在另外一些实施例中，提供半导体装置，半导体装置包含多个全绕式栅极场效晶体管，多个全绕式栅极场效晶体管的每一者包含：多个半导体片或半导体线，设置并垂直排列于底部鳍结构上方，底部鳍结构设置于基底上方；栅极电极；以及源极/漏极外延层，其中多个全绕式栅极场效晶体管的源极/漏极外延层的顶部与栅极电极的顶部之间的高度差值在0.5nm至1.5nm的范围中。
本文档来自技高网...【技术保护点】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第二外延层的该沉积阶段与该蚀刻阶段的制程时间比值在1.18至1.26的范围中。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该沉积阶段的制程气体包含SiH2Cl2，且该蚀刻阶段的制程气体包含HCl。
5.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，更包括：在形成该第一外延层与形成该第二外延层之间进行使用SiH4及HCl的处理。
6.一种半导体装置，包括：
7.如权利要求6所述的半导体装置，更包括：
8.如权利要求7所述的半导体装置，更包括：
9.如权利要求6所述的半导体装置，其中：
10.一种半导体装置，包括：
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置的制造方法，包括：
2.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中：
3.如权利要求2所述的半导体装置的制造方法，其中形成该第二外延层的该沉积阶段与该蚀刻阶段的制程时间比值在1.18至1.26的范围中。
4.如权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中该沉积阶段的制程气体包含sih2cl2，且该蚀刻阶段的制程气体包含hcl。<...
【专利技术属性】
技术研发人员：沈书文，林彦伯，陈俊翰，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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