一种物理不可克隆功能发生器包括多个物理不可克隆功能单元，其中多个物理不可克隆功能单元中的每一个包括第一MOS晶体管和第二MOS晶体管，其中第一MOS晶体管的源极在动态节点处连接到第二MOS晶体管的漏极，第一MOS晶体管的漏极耦接到第一总...

本揭示揭露一种监控制造设施的环境及安全的监控方法及监控系统。在一实施方式中，监控方法包含：将自动化物料搬运系统(AMHS)载具由第一位置运输至第二位置，以及使用位于AMHS载具上的至少一感测器侦测至少一参数，以判断第一位置及第二位置间的...

一种光刻胶显影剂，包含具有25

极紫外线成像工具的液滴产生器包括熔化的金属的贮槽、及具有连接至贮槽的第一末端及相对的第二末端的喷嘴，此相对的第二末端为熔化的金属液滴从喷嘴排出之处。进气口连接至喷嘴，且隔离阀位于喷嘴的第二末端，此隔离阀配置以将喷嘴与周遭隔离。

本公开实施例提供一种光刻方法。上述方法包括放置具有多个曝光场域的一半导体晶圆在一晶圆平台上方。上述方法还包括投射一极紫外光在半导体晶圆上。上述方法还包括在极紫外光投射至半导体晶圆的第一群曝光场域的同时，通过施加一第一调控电压至晶圆平台的...

一种控制激发激光的装置和方法，该方法包括在液滴检测器处检测在第一位置由第一辐射源照射的一给定标靶液滴散射的辐射的第一信号。控制激发激光的方法还包括在液滴检测器处检测在相距第一位置一固定距离的第二位置由第二辐射源照射的所述给定标靶液滴散射...

本发明的实施例提供了用于制造半导体器件的曝光方法和曝光装置。在曝光装置中执行的方法中，基于曝光图和曝光区域内的芯片区域布局来设置聚焦控制有效区域和聚焦控制无效区域。测量横跨晶圆的聚焦调平数据。利用曝光光线曝光晶圆上的光刻胶层。当曝光区域...

本发明提供一种制造半导体器件的方法以及一种半导体处理系统。方法包含以下步骤。在光刻工具中的衬底上形成光刻胶层。使光刻胶层在光刻工具中曝光以形成曝光光刻胶层。通过使用显影剂使曝光光刻胶层显影以在光刻工具中形成图案化光刻胶层。将显影剂的氨气...

一种光刻胶图案的形成方法，包括在形成于基底上的光刻胶层上形成保护层，且将光刻胶层选择性地曝光于光化辐射。将光刻胶层显影，以在光刻胶层中形成图案，以及去除保护层。保护层包含具有多个氟碳侧基的聚合物。

在一种制造光刻用掩模的方法中，获取电路图案数据；根据电路图案数据计算图案密度，其中图案密度是每预定区域的总图案区域；为图案密度低于临界密度的区域产生虚拟图案数据；根据电路图案数据及虚拟图案数据产生掩模绘图数据；根据掩模绘图数据，以电子束...

提供光掩模及其制造方法。光掩模包含掩模基底、反射式多层膜、盖层以及吸收复合结构。掩模基底具有前侧表面和后侧表面。反射式多层膜设置于掩模基底的前侧表面之上。盖层设置于反射式多层膜之上。吸收复合结构设置于盖层之上。吸收复合结构包含第一吸收层...

一种掩模制造方法，包括通过调整多个参数，以校正光学邻近校正(OPC)模型，参数包括第一参数和第二参数，其中第一参数代表由电子束光刻机台引起的长程效应，并且第二参数代表半导体结构的几何特征或制造半导体结构的制程，电子束光刻机台用于制造掩模...

本文提供了用于执行光学邻近修正和用于形成光掩模的技术的各个实例。在一些实例中，接收布局，布局包括要在光掩模上形成的形状。确定用于形状的多个目标光刻轮廓，多个目标光刻轮廓包括用于第一组工艺条件的第一目标轮廓和用于第二组工艺条件的与第一目标...

提供一种掩模及其制造方法。此方法包含形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含形成牺牲多膜层于此盖层之上。此方法还包含形成开口于此牺牲多膜层之中以暴露出此盖层。此方法还包含形成第一吸收层...

本文中公开用于大面积光刻仿真的同步化平行图块计算技术的实例来解决图块边界问题。一种用于集成电路(IC)制作的示例性方法包括：接收IC设计布局；将所述IC设计布局分割成多个图块；对所述多个图块实行仿真成像过程；通过对来自所述多个图块的最终...

一种极紫外光源的标靶液滴源包括一液滴产生器，配置用以产生一给定材料的标靶液滴。液滴产生器包括一喷嘴，配置用以在由一腔室封闭的一空间中供应标靶液滴。标靶液滴源还包括一套筒，设置在腔室中且靠近喷嘴。套筒配置用以为标靶液滴在腔室中提供一路径。

本发明的实施例公开一种连续时间三角积分调制器。在一个实例中，连续时间三角积分调制器包含：量化器、缓冲器模块、随机化器以及参考模块。量化器包含基于参考电位与基于模拟信号的样本生成的输入的比较生成数字输出的比较器。缓冲器模块将数字输出存储预...

存储器单元包括：电阻材料层，包括沿着第一方向延伸的第一部分和沿着第二方向延伸的第二部分，其中，第一方向和第二方向彼此不同；第一电极，连接到电阻材料层的第一部分的底面；以及第二电极，连接到电阻材料层的第二部分。本发明的实施例还涉及电阻式随...

本揭露描述一种磁隧道接面结构形成方法，利用离子束蚀刻制程而非反应性离子蚀刻制程的方法，用以形成磁隧道接面(magnetic tunnel junction；MTJ)结构。例如，此方法包括在互连层上形成磁隧道接面结构层，互连层包括第一区域...

半导体器件及其形成方法包括每个均从衬底延伸的第一鳍和第二鳍。第一栅极段设置在第一鳍上方，并且第二栅极段设置在第二鳍上方。层间介电(ILD)层邻近第一栅极段和第二栅极段。切割区域(例如，第一栅极结构和第二栅极结构之间的开口或间隙)在第一和...