掩模的制造方法技术

提供一种掩模及其制造方法。此方法包含形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含形成牺牲多膜层于此盖层之上。此方法还包含形成开口于此牺牲多膜层之中以暴露出此盖层。此方法还包含形成第一吸收层于此牺牲多膜层之上，并覆盖此开口中的盖层。此方法还包含移除此牺牲多膜层中的开口外的第一吸收层，以形成第一吸收图案于此盖层的一部分上。

Manufacturing Method of Mask

A mask and its manufacturing method are provided. The method includes forming a reflective multilayer on the front surface of the mask substrate. The method also includes the formation of a cap layer over the reflective multilayer. The method also includes the formation of a sacrificial multilayer on top of the caprock. The method also includes forming openings in the sacrificial multilayer to expose the cap. The method also includes forming a first absorbing layer on the sacrificial multilayer and covering the cover in the opening. The method also includes removing the first absorption layer besides the opening in the sacrificial multilayer to form a first absorption pattern on a part of the cap layer.

【技术实现步骤摘要】
掩模的制造方法
本公开涉及一种掩模及其制造方法，且特别有关于一种极紫外光掩模及其制造方法。
技术介绍
半导体集成电路工业经历了快速的成长。在集成电路材料与设计中技术的进展，创造了集成电路的世代，其中每一世代皆具有比前一世代更小且更复杂的电路。然而，这些发展增加了工艺及制造集成电路的复杂度，并且，为了实现这些发展，在集成电路的工艺及制造中也需要类似的发展。在集成电路的演进过程中，当几何尺寸(即可使用生产工艺创建的最小组件)降低时，功能密度(即单位芯片面积的互连装置的数量)通常会增加。在一范例中，微影(lithography，光刻)为在集成电路工艺中经常使用于转移集成电路设计至半导体基板的技术。典型的微影工艺包含涂布光刻胶(resist或photoresist)于基板之上，暴露此光刻胶至例如极紫外光(extremeultraviolet，EUV)线的射线，以及显影及部分去除此光刻胶以保留图案化的光刻胶于此基板之上。此图案化的光刻胶使用于在形成集成电路中的后续的蚀刻工艺。微影的发展通常需要符合持续的半导体微型化(miniaturization)。
技术实现思路
本公开包含一种掩模的制造方法。此方法包含：形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含形成牺牲多膜层于此盖层之上。此方法还包含形成开口于此牺牲多膜层之中以暴露出此盖层。此方法还包含形成第一吸收层于此牺牲多膜层之上，并覆盖此开口中的盖层。此方法还包含移除此牺牲多膜层中的开口外的第一吸收层，以形成第一吸收图案于此盖层的一部分上。本公开亦包含一种掩模的制造方法。此方法包含形成反射多膜层于遮罩基板的前侧表面之上。此方法还包含形成盖层于此反射多膜层之上。此方法还包含沉积粘合层于此盖层之上。此方法还包含沉积吸收层于此粘合层之上。此方法还包含形成硬遮罩图案于此吸收层之上。此方法还包含使用此硬遮罩图案作为遮罩来移除此吸收层及此粘合层的多个部分，以形成粘合图案以及于此粘合图案上方的此吸收图案。本公开亦包含一种掩模。此掩模包含：遮罩基板、反射多膜层、盖层、粘合图案、及吸收图案。遮罩基板具有前侧表面及背侧表面。反射多膜层位于此遮罩基板的此前侧表面之上。盖层位于此反射多膜层之上。粘合图案位于此盖层之上。吸收图案位于此粘合图案之上。附图说明通过以下的详述配合说明书附图，可以更加理解本公开实施例的观点。应注意的是，依据在业界的标准惯例，各种部件并未按照比例绘制且仅用以说明例示。事实上，为了讨论的明确易懂，各种部件的尺寸可任意增加或减少。图1A至图1K是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图；图2A至图2C是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图；图3A至图3D是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图；图4A至图4C是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图；图5A至图5E是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图；图6A至图6E是根据一些实施例的制造掩模结构的工艺的各种阶段的剖面图。附图标记说明：200～遮罩基板201～前侧表面203～背侧表面206～反射多膜层210～盖层211、224、224’、241～顶面212～吸收层212A～吸收图案216～抗反射层216A～抗反射图案218～导电层220～硬遮罩层220A～硬遮罩图案222、240～光刻胶层222A、240A～光刻胶图案230、330、380～牺牲多膜层230A、230A’、330A、380A～牺牲多膜层图案232A、232B、232C、232C’、242A、352A、352A’、352B～开口234、334～吸收层234A～第一部分234B～吸收图案235、305、345～侧壁表面242B、342～沟槽247、347～底面205、245～侧壁表面250A、250B、250C～空白掩模270、370～钝化层332～粘合层332A～粘合图案334A～吸收图案360～蚀刻工艺410～图案部分420～边界部分500A、500B、500C、500D～掩模T1、T2～厚度具体实施方式以下提供许多不同的实施例或范例，用于实行本公开的不同部件。以下描述了组件和配置的具体范例，以简化本公开的实施例。当然，这些实施例仅用以例示，并非意图限制本公开的范围。举例而言，在叙述中第一部件形成于第二部件之上，可能包含形成第一和第二部件直接接触的实施例，也可能包含额外的部件形成于第一和第二部件之间，使得第一和第二部件不会直接接触的实施例。另外，本公开的实施例可能在许多范例中重复元件符号及/或字母。这些重复的目的是为了简化和清楚，除非内文中特别说明，其本身并非代表各种实施例及/或所讨论的配置之间有特定的关系。此外，在以下叙述中可使用空间上相对用语，例如“在……之下”、“在……下方”、“较低的”、“在……上方”、“较高的”和其他类似的用语，以简化一个(些)元件或特征与另一个(些)示出于附图中的元件或特征之间的关系的陈述。此空间相对用语除了包含附图所示出的方位，还包含装置在使用或操作中的不同方位。装置亦可转向至其他方位(旋转90度或在其他方位)，且在此使用的空间相对描述亦依转向后的方位相应地解读。描述了本公开的一些实施例。可提供额外的步骤于这些实施例中所描述的步骤之前、期间、及/或之后。所描述的一些步骤可为了不同的实施例而被取代或删除。可增加额外的部件至半导体装置结构。下述的一些部件可为了不同的实施例而被取代或删除。虽然一些实施例是以特定的顺序所执行的步骤来讨论，但这些步骤可用其他有逻辑的顺序来执行。本公开所讨论的先进微影的工艺、方法、及材料可使用于许多的应用中，包含鳍式场效晶体管(fin-typefieldeffecttransistors，FinFETs)。举例来说，鳍片可被图案化以在部件之间产生相对接近的间隔，此于上述的公开是十分的合适。另外，可根据上述的公开处理在形成鳍式场效晶体管(FinFETs)中所使用的间隔物。图1A至图1K为根据一些实施例的制造掩模(reticle)500A的工艺的各种阶段的剖面图。在一些实施例中，掩模500A为极紫外光(extremeultraviolet，EUV)掩模。极紫外光刻工艺使用反射掩模而非透明掩模。极紫外光刻工艺使用极紫外光扫描器，其发射出在极紫外光区的具有极紫外光波长的光线，例如10至15纳米(nm)。在一些实施例中，极紫外光源产生具有波长在约13.6纳米的极紫外光。一些极紫外光扫描器可运用反射光学(reflectiveoptics)，即反射镜(mirror)及在真空环境中运行。极紫外光扫描器可提供所需的图案于形成在反射掩模上的吸收层(例如极紫外光掩模吸收剂(absorber))上。在极紫外光光谱范围中的光线被几乎所有的材料高度吸收。因此，通常使用反射光学而非折射光学(refractiveoptics)。在一些实施例中，制造掩模500A的工艺包含空白(blank)掩模工艺及掩模图案化工艺。在空白掩模工艺中，通过沉积适合的膜层(例如反射多膜层、盖层、及吸收层)于适合的基板上来形成空白的掩模。在掩模图案化工艺期间图案化空白掩模，以具有集成电路的膜层的设计。图案化的掩模之后使用于转移电路图案本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种掩模的制造方法，包括：形成一反射多膜层于一遮罩基板的一前侧表面之上；形成一盖层于该反射多膜层之上；形成一牺牲多膜层于该盖层之上；形成一开口于该牺牲多膜层之中以暴露出该盖层；形成一第一吸收层于该牺牲多膜层之上，并覆盖该开口中的该盖层；以及移除该牺牲多膜层中的该开口外的该第一吸收层，以形成一第一吸收图案于该盖层的一部分上。

【技术特征摘要】
2017.11.15 US 62/586,276;2018.06.27 US 16/019,7541.一种掩模的制造方法，包括：形成一反射多膜层于一遮罩基板的一前侧...

【专利技术属性】
技术研发人员：林云跃，李信昌，
申请(专利权)人：台湾积体电路制造股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71