本实用新型公开了一种霍尔元件，包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板上，使石墨烯霍尔元件...

本实用新型公开了一种半导体激光器芯片，包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器外延结构远离双面抛光衬底的一...

本发明公开了一种四晶单色仪的光路校准方法及校准装置，其中校准方法包括如下步骤：提供一光源，第一接收屏以及四晶单色仪；使光源发出的入射光照射到第一接收屏上，并记录第一接收屏上的光斑位置为第一光斑位置；保持光源和第一接收屏的相对位置不变，并...

本发明公开了一种霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括磁性基板，石墨烯功能层，电极和磁芯，其中：石墨烯功能层沉积在磁性基板的上方；电极设置在石墨烯功能层上方的电极区域；磁芯设置在石墨烯功能层上方的功能区域。将石墨烯材料直接制备在磁性基板...

本发明公开了一种半导体激光器芯片及其制作方法，其中半导体激光器芯片包括：双面抛光衬底、激光器外延结构以及太阳能电池外延结构；其中，激光器外延结构设置于双面抛光衬底的正面；太阳能电池外延结构设置于双面抛光衬底的背面；金属热沉，设置于激光器...

本实用新型公开了一种薄膜转移装置，包括箱体，设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置，第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层，第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜；第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降；...

本实用新型公开了一种半导体激光器封装结构，包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长度方向平行；且脊...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种第一半导体组件、第二半导体组件以及半导体器件，其中半导体器件，包括第一半导体组件，以及第二半导体组件；所述第一半导体组件与所述第二半导体组件层叠设置，且，所述第一半导体组件中的半导体功能层与所述第二...

本实用新型涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器，包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能够降低检测组件与发光组件的对...

本实用新型公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光...

本实用新型涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构，包括：衬底，具有相对的第一表面和第二表面；晶格匹配层和第二晶格失配层，依次设置在所述第一表面上；第一晶格失配层，设置在所述第二表面上；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述第二晶格失配...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种化合物半导体硅基混合器件及其制备方法，其中制备方法，包括：在第一衬底上依次形成牺牲层、半导体功能层，形成第一组件；将第二衬底划分为光波导区和键合区，在所述光波导区上形成光波导结构，在所述键合区形成对准组...

本发明涉及半导体技术领域，提供一种半导体激光器及其制备方法，其中，该半导体激光器包括：衬底；并列形成在衬底上的检测组件和发光组件；发光组件中的有源层在检测组件上的投影，落入检测组件中的吸收层的范围内。通过并列设置的检测组件和发光组件，能...

本发明公开了一种霍尔元件的制备方法，该方法包括如下步骤：在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对基底进行刻蚀；将铜箔基底放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯；石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区；在Si衬底和...

本发明公开了一种半导体激光器，包括半导体制冷器以及金属层；其中，金属层设置在半导体制冷器与半导体激光器之间，半导体制冷器与半导体激光器通过金属层整体封装于一颗芯片中。在封装半导体激光器的过程中，把半导体制冷器一并封装一体，半导体激光器产...

本发明公开了一种生长指令检查方法及装置，其中方法包括：提取待检查MOCVD生长指令中的第一特征字符；根据第一特征字符进行模拟生长得到生长结构；将生长结构与目标结构进行比较，得到比较结果；根据比较结果确定待检查MOCVD生长指令是否正确。...

本发明涉及半导体器件领域，公开了一种晶体外延结构及生长方法，晶体外延生长方法包括以下步骤：在衬底的第一表面形成晶格匹配层；在所述衬底的第二表面形成第一晶格失配层；在所述晶格匹配层上形成第二晶格失配层；所述第一晶格失配层、所述衬底以及所述...

本发明公开了一种薄膜转移装置及其使用方法，其中装置包括箱体，设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置，第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层，第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜；第一载台和/或第二载台沿...

本发明公开了一种半导体激光器封装结构及其制备方法，其中结构包括热沉，形成在热沉第一表面上的焊料层，以及通过焊料层焊接在第一表面上的半导体激光器管芯，半导体激光器管芯的脊区靠近焊料层设置；其中，第一表面上开设有一凹槽，凹槽长度方向与脊区长...

本发明属于半导体技术领域，提供一种低温度漂移的霍尔元件及其制备方法，其中霍尔元件包括层叠设置的衬底层1、半导体功能层2和电极层3；半导体功能层2为N型掺杂的InxGa1‑xAs1‑2xP2x层，其中，x的值大于0且不大于0.5。半导体功...