The invention discloses a device and method of using film transfer device which comprises a box body, and second in the first stage of the table is arranged in the box body table table along the first direction relative to the first stage of the table set for carrying the first carrier, an adhesive layer, the second stage table for carrying the carrier, second transfer film; first stage and / or second stage lifting along the first direction; vacuum pump, vacuum environment for providing the box. The overburden pressure will be transferred to the film transfer mode to transfer vector, using vacuum pump to provide a vacuum environment, removing the gas adhesion agent, no air bubbles between after the transfer film and the adhesive agent not only solves the influence caused by the stress of the film adhesive bubble device performance, improve the product quality rate; at the same time, negative pressure condition, the adhesive layer can be fully and on both sides of the contact element, compactness and adhesion speed, improve the efficiency of transfer film production.
【技术实现步骤摘要】
一种薄膜转移装置及其使用方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种薄膜转移装置及其使用方法。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)则是在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。在半导体器件的制备过程中,通常在制得薄膜后,需要对薄膜进行转移,再投入使用。以InSb薄膜为例,现有转移技术为:在大气中将镀有InSb薄膜的材料与涂有粘附剂的载体压覆在一起,再放入能够加热的烘箱中,对粘附剂进行固化,实现薄膜转移。该技术有如下缺陷:1、粘附剂在加热时,粘附剂中的空气由于受热而形成气泡,集聚于粘附剂和InSb薄膜之间,使得转移后的InSb薄膜与粘附剂之间有气泡存在,降低了InSb薄膜的转移良率。2、压覆薄膜时,由于气泡的存在,InSb薄膜与粘附剂之间受力不均匀,易导致InSb薄膜在转移后具有较大的内应力,也容易造成InSb薄膜高低不平,影响到InSb薄膜转移后的良率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种薄膜转移装置及其使用方法,以解决现有技术中在大气中将镀有InSb薄膜的材料与涂有粘附剂的载体进行压覆转移,导致InSb薄膜转移后与粘附剂之间存在内应力的问题。根据第一方面,本专利技术实施例提供了 ...
【技术保护点】
一种薄膜转移装置,其特征在于,包括:箱体(1),设置在所述箱体(1)内部的第一载台(2)和第二载台(3);所述第一载台(2)的台面与所述第二载台(3)的台面沿第一方向相对设置,所述第一载台(2)的台面用于承载第一载体(4)、粘附剂层(5),所述第二载台(3)的台面用于承载第二载体(6)、待转移薄膜(7);所述第一载台(2)和/或所述第二载台(5)沿第一方向可升降;真空泵(8),用于为所述箱体(1)提供真空环境。
【技术特征摘要】
1.一种薄膜转移装置,其特征在于,包括:箱体(1),设置在所述箱体(1)内部的第一载台(2)和第二载台(3);所述第一载台(2)的台面与所述第二载台(3)的台面沿第一方向相对设置,所述第一载台(2)的台面用于承载第一载体(4)、粘附剂层(5),所述第二载台(3)的台面用于承载第二载体(6)、待转移薄膜(7);所述第一载台(2)和/或所述第二载台(5)沿第一方向可升降;真空泵(8),用于为所述箱体(1)提供真空环境。2.根据权利要求1所述的薄膜转移装置,其特征在于,沿靠近所述第一载台(2)的方向,所述第二载台(3)的台面上依次层叠设置有:绝热层(9)、加热层(10)。3.根据权利要求1或2所述的薄膜转移装置,其特征在于,所述加热层(10)包括加热组件(101),以及离散分布在所述加热组件(101)中的测温组件(102)。4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜转移装置,其特征在于,所述第二载台(3)的台面与所述绝热层(9)之间还设置有第一保护层(11);所述加热层(10)远离所述绝热层(9)的一侧还设置有第二保护层(12)。5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜转移装置,...
【专利技术属性】
技术研发人员:李晓东,沈雷,
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司,
类型:发明
国别省市:江苏,32
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