一种薄膜转移装置及其使用方法制造方法及图纸

技术编号:17512343 阅读:36 留言:0更新日期:2018-03-20 23:00
本发明专利技术公开了一种薄膜转移装置及其使用方法,其中装置包括箱体,设置在箱体内部的第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置,第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层,第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜;第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降;真空泵,用于为箱体提供真空环境。通过覆压方式将待转移薄膜转移至待转移载体,用真空泵提供负压环境,抽去了粘附剂中的气体,转移后的薄膜和粘附剂之间没有气泡存在,不但解决了因粘附剂气泡导致的薄膜内应力影响器件性能的问题,提高了产品良率;同时,负压环境下,粘附剂层能够充分与两侧的元件接触,密实度大,粘合速度快,提高了薄膜转移生产的效率。

A thin film transfer device and its use method

The invention discloses a device and method of using film transfer device which comprises a box body, and second in the first stage of the table is arranged in the box body table table along the first direction relative to the first stage of the table set for carrying the first carrier, an adhesive layer, the second stage table for carrying the carrier, second transfer film; first stage and / or second stage lifting along the first direction; vacuum pump, vacuum environment for providing the box. The overburden pressure will be transferred to the film transfer mode to transfer vector, using vacuum pump to provide a vacuum environment, removing the gas adhesion agent, no air bubbles between after the transfer film and the adhesive agent not only solves the influence caused by the stress of the film adhesive bubble device performance, improve the product quality rate; at the same time, negative pressure condition, the adhesive layer can be fully and on both sides of the contact element, compactness and adhesion speed, improve the efficiency of transfer film production.

【技术实现步骤摘要】
一种薄膜转移装置及其使用方法
本专利技术涉及半导体
,具体涉及一种薄膜转移装置及其使用方法。
技术介绍
化学气相沉积(ChemicalVaporDeposition,CVD)工艺是指把含有构成薄膜元素的气态反应剂或液态反应剂的蒸气及反应所需其它气体引入反应室,在衬底表面发生化学反应生成薄膜的过程。物理气相沉积(PhysicalVaporDeposition,PVD)则是在真空条件下,采用物理方法,将材料源——固体或液体表面气化成气态原子、分子或部分电离成离子,并通过低压气体(或等离子体)过程,在基体表面沉积具有某种特殊功能的薄膜的技术。在半导体器件的制备过程中,通常在制得薄膜后,需要对薄膜进行转移,再投入使用。以InSb薄膜为例,现有转移技术为:在大气中将镀有InSb薄膜的材料与涂有粘附剂的载体压覆在一起,再放入能够加热的烘箱中,对粘附剂进行固化,实现薄膜转移。该技术有如下缺陷:1、粘附剂在加热时,粘附剂中的空气由于受热而形成气泡,集聚于粘附剂和InSb薄膜之间,使得转移后的InSb薄膜与粘附剂之间有气泡存在,降低了InSb薄膜的转移良率。2、压覆薄膜时,由于气泡的存在,InSb薄膜与粘附剂之间受力不均匀,易导致InSb薄膜在转移后具有较大的内应力,也容易造成InSb薄膜高低不平,影响到InSb薄膜转移后的良率。
技术实现思路
有鉴于此,本专利技术实施例提供了一种薄膜转移装置及其使用方法,以解决现有技术中在大气中将镀有InSb薄膜的材料与涂有粘附剂的载体进行压覆转移,导致InSb薄膜转移后与粘附剂之间存在内应力的问题。根据第一方面,本专利技术实施例提供了一种薄膜转移装置,包括箱体,第一载台,第二载台和真空泵,其中:第一载台和第二载台设置在箱体内部,第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置,第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层,第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜;第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降;真空泵用于为箱体提供真空环境。可选地,沿靠近第一载台的方向,第二载台的台面上依次层叠设置有绝热层、加热层。可选地,加热层包括加热组件,以及离散分布在加热组件中的测温组件。可选地,第二载台的台面与绝热层之间还设置有第一保护层;加热层远离绝热层的一侧还设置有第二保护层。可选地,装置还包括液压组件,用于驱动第一载台和/或第二载台的升降运动。可选地,液压组件设置在箱体外部,通过驱动杆与第一载台相连接,用于驱动第一载台沿第一方向的升降运动;第一方向为垂直于水平面方向。可选地,液压组件包括压力控制元件,用于控制液压组件的施力大小。根据第二方面,本专利技术实施例还提供了一种薄膜转移装置的使用方法,包括如下步骤:在第一载台的台面上依次形成第一载体和粘附剂;在第二载台的台面上依次形成第二载体和待转移薄膜;控制真空泵抽取箱体中的气体,形成真空环境;控制第一载台的台面和第二载台的台面接触,转移待转移薄膜。可选地,还包括控制加热层对第二载台进行加热的步骤。可选地,还包括控制液压组件向第一载台施加压力的步骤。本专利技术的技术方案,具有如下优点:1、本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,包括:箱体,设置在箱体内部的第一载台和第二载台;第一载台的台面与第二载台的台面沿第一方向相对设置,第一载台的台面用于承载第一载体、粘附剂层,第二载台的台面用于承载第二载体、待转移薄膜;第一载台和/或第二载台沿第一方向可升降;真空泵,用于为箱体提供真空环境。通过覆压方式将待转移薄膜转移至待转移载体,用真空泵提供负压环境,抽去了粘附剂中的气体,转移后的薄膜和粘附剂之间没有气泡存在,不但解决了因粘附剂气泡导致的薄膜内应力影响器件性能的问题,提高了产品良率;同时,负压环境下,粘附剂层能够充分与两侧的元件接触,密实度大,粘合速度快,提高了薄膜转移生产的效率。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,沿靠近第一载台的方向,第二载台的台面上依次层叠设置有绝热层和加热层。绝热层用于阻挡其上下两部分的热量传递,加热层对第二载台上的第二载体和待转移薄膜加热,在转移过程中,热量传递到粘附剂层,使粘附剂加速固化。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,加热层包括加热组件,以及离散分布在加热组件中的测温组件。根据不同位置的测温组件反馈的温度,使加热组件自动调节加热功率,来实现整个加热区域的温度恒定和温区的均匀,使粘附剂在加热固化过程中性能保持稳定,以此减小由于粘附剂性能变化导致转移后的薄膜和粘附剂之间存在内应力的影响。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,第二载台的台面与绝热层之间还设置有第一保护层;加热层远离绝热层的一侧还设置有第二保护层。第一保护层和第二保护层在薄膜转移装置进行覆压转移薄膜时,避免加热层和绝热层中的器件因压力造成的损坏。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,还包括液压组件,用于驱动第一载台和/或第二载台的升降运动。液压系统的压力施放平稳,比气压系统可控性强,使第一载台和第二载台在转移薄膜时接触面压力平衡稳定。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,液压组件设置在箱体外部,通过驱动杆与第一载台相连接,用于驱动第一载台沿第一方向的升降运动;第一方向为垂直于水平面方向。水平设置第一载台和第二载台,避免非固态的粘附剂因重力影响分布不均匀。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置,液压组件包括压力控制元件,用于控制液压组件的施力大小。用压力控制元件控制调整液压组件施放的压力,实现待转移薄膜和粘附剂之间压力均匀,减少由于薄膜转移过程中受力不均导致的内应力影响。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置的使用方法,包括如下步骤:在第一载台的台面上依次形成第一载体和粘附剂;在第二载台的台面上依次形成第二载体和待转移薄膜;控制真空泵抽取箱体中的气体,形成真空环境;控制第一载台的台面和第二载台的台面接触,转移待转移薄膜。通过覆压方式将待转移薄膜转移至待转移载体,用真空泵提供负压环境,抽去了粘附剂中的气体,转移后的薄膜和粘附剂之间没有气泡存在,不但解决了因粘附剂气泡导致的薄膜内应力影响器件性能的问题,提高了产品良率;同时,负压环境下,粘附剂层能够充分与两侧的元件接触,密实度大,粘合速度快,提高了薄膜转移生产的效率。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置的使用方法,还包括控制加热层对第二载台进行加热的步骤。加热层对第二载台加热形成一个恒温区域,在第一载台的台面和第二载台的台面接触时,粘附剂在恒温区域中受热固化,避免粘附剂因温度环境变化造成的性能变化。本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置的使用方法,本专利技术实施例提供一种薄膜转移装置的使用方法,还包括控制液压组件向第一载台施加压力的步骤。液压系统的压力施放平稳,比气压系统可控性强,使第一载台和第二载台在转移薄膜时接触面压力平衡稳定,粘附剂与待转移载体在接触过程中受力均匀,减小转移后的内应力影响。附图说明通过参考附图会更加清楚的理解本专利技术的特征和优点,附图是示意性的而不应理解为对本专利技术进行任何限制,在附图中:图1为本专利技术实施例中一种薄膜转移装置的结构示意图;图2为本专利技术实施例中一种薄膜转移装置的加热层的内部结构示意图;图3为本专利技术实施例中一种薄膜转移装置的压力控制组件结构示意图;图4为本专利技术实施例中一种薄膜转移装置的使用方法流程图。具体实施方式为使本专利技术实施例的目的、技术方案和优本文档来自技高网...
一种薄膜转移装置及其使用方法

【技术保护点】
一种薄膜转移装置,其特征在于,包括:箱体(1),设置在所述箱体(1)内部的第一载台(2)和第二载台(3);所述第一载台(2)的台面与所述第二载台(3)的台面沿第一方向相对设置,所述第一载台(2)的台面用于承载第一载体(4)、粘附剂层(5),所述第二载台(3)的台面用于承载第二载体(6)、待转移薄膜(7);所述第一载台(2)和/或所述第二载台(5)沿第一方向可升降;真空泵(8),用于为所述箱体(1)提供真空环境。

【技术特征摘要】
1.一种薄膜转移装置,其特征在于,包括:箱体(1),设置在所述箱体(1)内部的第一载台(2)和第二载台(3);所述第一载台(2)的台面与所述第二载台(3)的台面沿第一方向相对设置,所述第一载台(2)的台面用于承载第一载体(4)、粘附剂层(5),所述第二载台(3)的台面用于承载第二载体(6)、待转移薄膜(7);所述第一载台(2)和/或所述第二载台(5)沿第一方向可升降;真空泵(8),用于为所述箱体(1)提供真空环境。2.根据权利要求1所述的薄膜转移装置,其特征在于,沿靠近所述第一载台(2)的方向,所述第二载台(3)的台面上依次层叠设置有:绝热层(9)、加热层(10)。3.根据权利要求1或2所述的薄膜转移装置,其特征在于,所述加热层(10)包括加热组件(101),以及离散分布在所述加热组件(101)中的测温组件(102)。4.根据权利要求1-3任一项所述的薄膜转移装置,其特征在于,所述第二载台(3)的台面与所述绝热层(9)之间还设置有第一保护层(11);所述加热层(10)远离所述绝热层(9)的一侧还设置有第二保护层(12)。5.根据权利要求1-4任一项所述的薄膜转移装置,...

【专利技术属性】
技术研发人员:李晓东沈雷
申请(专利权)人:苏州矩阵光电有限公司
类型:发明
国别省市:江苏,32

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