利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法技术

本发明专利技术公开了一种利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，包括采用SCCO2法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO2设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO2加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。本发明专利技术通过一种简单易控的方法来填补透明导电氧化物薄膜中缺陷，在不影响透明导电氧化物薄膜光学特性的前提下，有效改变了透明导电氧化物薄膜的电学性能，进而降低了透明导电氧化物薄膜器件在使用过程中产生的焦耳热。

A method of reducing the power consumption of transparent conductive oxide thin film devices by microstructural regulation

The invention discloses a method for using micro structure control to reduce device power consumption of transparent conductive oxide films, including transparent conductive oxide thin films by SCCO2 method for specific steps: reactor for deionized water added SCCO2 device; transparent conductive oxide thin film is arranged in the reaction kettle but not in contact with deionized water, sealed reaction kettle the temperature in the reaction kettle; increased to 55 to 75 DEG C, CO2 pressure of 10MPa ~ 13Mpa, and continue to heat up to 120 to 150 DEG C, and the reaction of 30min ~ 90min. The invention is to fill the defect of transparent conductive oxide films by a simple method and easy to control, without affecting the optical properties of transparent conductive oxide films, effectively change the electrical properties of transparent conductive oxide films, thereby reducing the Joule heat of transparent conductive oxide thin film device during use.

【技术实现步骤摘要】
利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法
本专利技术属于薄膜微结构调控
，尤其涉及一种利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法。
技术介绍
透明导电氧化物(TCO)薄膜由于其优异的光学和电学性能，在薄膜器件领域具有巨大的应用前景。ZnO、SnO2薄膜材料由于其能带隙和激子束缚能较大、透明度高、常温发光特性优异，在半导体领域的液晶显示器、薄膜晶体管、发光二极管、超级电容器等有广泛应用。近些年，对ZnO、SnO2进行n型掺杂，如掺杂Al、F、Sb、In、Ga等，都可有效改善TCO薄膜的导电性能，而且相关TCO薄膜已应用到光电子器件和微电子以及集成电路中。但是TCO薄膜始终存在各种缺陷，这不仅影响了TCO薄膜的稳定性，而且限制了TCO薄膜的应用范围。例如，目前制备的TCO薄膜器件在使用过程中产生大量焦耳热，从而影响器件稳定性。因此，如何有效调控TCO薄膜中的微结构成为当前的热点难题。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，采用该方法可在不影响透明导电氧化物薄膜光学特性的前提下，降低透明导电氧化物薄膜器件使用过程中产本文档来自技高网...

【技术保护点】
利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：包括采用SCCO2法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO2设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO2加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。

【技术特征摘要】
1.利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：包括采用SCCO2法处理透明导电氧化物薄膜的步骤，具体为：取去离子水加入SCCO2设备的反应釜内；透明导电氧化物薄膜置于反应釜内但不接触去离子水，密封反应釜；使反应釜内温度升高到55℃～75℃，CO2加压到10MPa～13Mpa，之后，继续升温至120℃～150℃，并保温反应30min～90min。2.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：所述透明导电氧化物薄膜采用磁控溅射镀膜法制备。3.如权利要求1所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：在所述去离子水中加入液体醇后，再加入SCCO2设备的反应釜内；所述液体醇要求与去离子水相溶并可促进CO2在去离子水中分散。4.如权利要求3所述的利用微结构调控降低透明导电氧化物薄膜器件功耗的方法，其特征是：所述去离子水...

【专利技术属性】
技术研发人员：何春清，周亚伟，李静静，尹崇山，张笑维，
申请(专利权)人：武汉大学，
类型：发明
国别省市：湖北,42