一种霍尔元件的制备方法技术

本发明专利技术公开了一种霍尔元件的制备方法，该方法包括如下步骤：在铜箔基底上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对基底进行刻蚀；将铜箔基底放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯；石墨烯通过鼓泡法转移至Si衬底上形成有源区；在Si衬底和石墨烯表面整体生长一层钝化层；对钝化层开口后蒸镀金属，作为激励和输出电极。本发明专利技术通过对石墨烯生长的金属基底预处理可直接生成有源区形状，并在石墨烯转移至硅衬底后，通过优先钝化再开口蒸镀电极，避免了石墨烯接触相关有机溶剂而造成性能降低，大大提高了工艺良品率及器件性能；此外，该方法步骤简单，适用于工业生产。

【技术实现步骤摘要】
一种霍尔元件的制备方法
本专利技术涉及霍尔传感器
，具体涉及一种霍尔元件的制备方法。
技术介绍
霍尔元件是以霍尔效应为原理来探测磁场的半导体器件，又称之为霍尔传感器。霍尔元件除了作为高斯计探测磁场强度的功能以外，还可以在其他物理量例如力、速度、加速度等转化为电学参数进行检测，因此可以应用于电流电压传感器、无刷电机、车速检测等广泛的领域。传统的霍尔器件所使用的半导体材料包括Ge、Si、InSb、GaAs、InAs以及多层半导体异质结构量子阱材料等等，这些传统半导体材料有着不同的缺点，硅和锗的载流子迁移率较低，因此元件的灵敏度低，而InSb的迁移率很高但其热稳定性差，无法应用于较差环境中，同时三五族半导体所制作的器件由于晶格失配而无法使用Si衬底，这使得其不能应用于大规模集成而使其发展受到限制。石墨烯材料作为新一代材料，具备了高迁移率及热稳定性于一身的优良特性，在室温下达到200000cm2/V.s，远远高于常用的半导体材料，而且其厚度非常薄，其单层厚度只有0.3nm左右，该材料本身对磁场的屏蔽非常小，因此会大大提高霍尔元件的灵敏度。同时，它还可以在生长后转移至Si衬底上，因此其可本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在铜箔基底(8)上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对所述铜箔基底(8)进行刻蚀；S2、将所述铜箔基底(8)放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯(2)；S3、通过鼓泡法将所述石墨烯(2)转移至Si衬底(1)上形成有源区；S4、在所述Si衬底(1)和所述石墨烯(2)表面整体生长一层钝化层(7)；S5、对所述钝化层(7)开口后蒸镀金属，以形成霍尔元件的电流电压激励输入电极(3)、电流电压激励输出电极(4)以及第一霍尔电压输出电极(5)、第二霍尔电压输出电极(6)。

【技术特征摘要】
1.一种霍尔元件的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：S1、在铜箔基底(8)上旋涂一层光刻胶再覆盖掩膜版曝光显影，对所述铜箔基底(8)进行刻蚀；S2、将所述铜箔基底(8)放入化学气相沉积反应室，通入甲烷和氢气形成石墨烯(2)；S3、通过鼓泡法将所述石墨烯(2)转移至Si衬底(1)上形成有源区；S4、在所述Si衬底(1)和所述石墨烯(2)表面整体生长一层钝化层(7)；S5、对所述钝化层(7)开口后蒸镀金属，以形成霍尔元件的电流电压激励输入电极(3)、电流电压激励输出电极(4...

【专利技术属性】
技术研发人员：何渊，胡双元，
申请(专利权)人：苏州矩阵光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32