超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件技术

本发明专利技术提供一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件，所述超高反常霍尔灵敏度薄膜材料包括：第一Ta层，所述第一Ta层上方设置有CoxFey层，所述CoxFey层上方设置有金属氧化层，所述金属氧化层上方设置有第二Ta层，其中，0＜x＜100，x为整数，0＜y＜100，y为整数。本发明专利技术通过设置第一Ta层、CoxFey层、金属氧化层和第二Ta层，易于界面轨道杂化调控各向异性场；又由于CoxFey层中的Co和Fe原子比例可调，可进一步调控各向异性场，从而有效提高反常霍尔灵敏度。

【技术实现步骤摘要】
超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件
本专利技术涉及磁性薄膜材料
，特别是指一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件。
技术介绍
近年来，基于霍尔效应的传感器目前已在多个领域获得了广泛的应用。在霍尔传感器中，使用最多的是半导体材料。但是，半导体霍尔元件灵敏度偏低、对信号的响应速度慢、差的抗温度扰动性、成本高以及污染大，如砷等剧毒元素等缺点限制了它的应用范围。
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题是提供一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料、制备方法、磁传感器及元件，能够提高反常霍尔灵敏度。为解决上述技术问题，本专利技术的实施例提供一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，所述超高反常霍尔灵敏度薄膜材料包括：第一Ta层，所述第一Ta层上方设置有CoxFey层，所述CoxFey层上方设置有金属氧化层，所述金属氧化层上方设置有第二Ta层，其中，0＜x＜100，x为整数，0＜y＜100，y为整数。优选的，所述CoxFey层为CoFe层。优选的，y＝100-x。优选的，所述金属氧化层为MgO层或HfO2层。优选的，所述第一Ta层的厚度为所述CoxFey层的厚度为所述金属氧化本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述超高反常霍尔灵敏度薄膜材料包括：第一Ta层，所述第一Ta层上方设置有CoxFey层，所述CoxFey层上方设置有金属氧化层，所述金属氧化层上方设置有第二Ta层，其中，0＜x＜100，x为整数，0＜y＜100，y为整数。

【技术特征摘要】
1.一种超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述超高反常霍尔灵敏度薄膜材料包括：第一Ta层，所述第一Ta层上方设置有CoxFey层，所述CoxFey层上方设置有金属氧化层，所述金属氧化层上方设置有第二Ta层，其中，0＜x＜100，x为整数，0＜y＜100，y为整数。2.根据权利要求1所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述CoxFey层为CoFe层。3.根据权利要求1所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，y＝100-x。4.根据权利要求1所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述金属氧化层为MgO层或HfO2层。5.根据权利要求1至4任意一项所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述第一Ta层的厚度为所述CoxFey层的厚度为所述金属氧化层的厚度为所述第二Ta层的厚度为6.根据权利要求5所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述第一Ta层的厚度为所述CoxFey层的厚度为所述金属氧化层的厚度为所述第二Ta层的厚度为7.根据权利要求5所述的超高反常霍尔灵敏度薄膜材料，其特征在于，所述第一Ta层的厚度为所述CoxFey层的厚度为所述金属氧化层的厚度为所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：于广华，陈喜，于泠然，张静言，
申请(专利权)人：于广华，
类型：发明
国别省市：北京;11