【技术实现步骤摘要】
【技术保护点】
倒置OLED器件结构，包括基板（1），其上旋涂聚合物防短路层（2），在聚合物防短路层（2）之上沉积有一层阴极薄膜（3），在该阴极薄膜（3）上蒸镀一层强氧化性材料的电子注入层（4），在该电子注入层（4）之上沉积一层金属或金属氧化物薄膜（5），在金属或金属氧化物薄膜（5）之上为n型掺杂的电子传输层（6），其次依次为电子传输层（7）、发光层（8）、空穴传输层（9）、空穴注入层（10）和阳极（11），其特征在于：所述的电子注入层（4）的强氧化性材料为2,3,6,7,10,11‑六氰基‑1,4,5,8,9,12‑六氮杂苯并菲、2,3,5,6‑四氟‑7,7',8,8'‑四氰二甲基对苯醌、MoO2、MoO3、SiO或SiO2。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：廖良生，马杰，丁磊，汤洵，
申请(专利权)人：苏州大学，
类型：发明
国别省市：江苏;32
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